晶體管

型號	描述	庫存
BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 71A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,786
BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 73µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存382,800
BSC059N03S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 73A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 17.5W (Ta), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,174
BSC059N03ST Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,650
BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH <= 40V 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存50,964
BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 73A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 23µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存252,480
BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta), 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4900pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存495,714
BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.7A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6020pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,474
BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 41µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,482
BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,586
BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存102,444
BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存583,698
BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,732
BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 75µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存280,818
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,734
BSC072N025S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,960
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 36µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存40,812
BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存602,940
BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.4A (Ta), 98A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,274
BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,850
BSC079N03SG Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.6A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,214
BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.4A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,030
BSC080N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,384
BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存46,782
BSC080P03LSGAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-3 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存96,630
BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,712
BSC084P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4240pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,240
BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 105µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4785pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,964
BSC085N025S G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,004
BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存38,712

BSC057N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 71A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,786

BSC057N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 73µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存382,800

BSC059N03S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 73A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 17.5W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,174

BSC059N03ST

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,650

BSC059N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH <= 40V

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存50,964

BSC059N04LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 73A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 23µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存252,480

BSC060N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4900pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存495,714

BSC060P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6020pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,474

BSC061N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 82A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 41µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,482

BSC065N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,586

BSC066N06NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-6
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存102,444

BSC067N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存583,698

BSC0702LSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,732

BSC070N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 75µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存280,818

BSC070N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,734

BSC072N025S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,960

BSC072N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 36µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-7
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存40,812

BSC076N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存602,940

BSC077N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5700pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,274

BSC079N03LSCGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,850

BSC079N03SG

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,214

BSC079N10NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,030

BSC080N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,384

BSC080N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存46,782

BSC080P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-3
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存96,630

BSC082N10LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,712

BSC084P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4240pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,240

BSC084P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 105µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4785pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,964

BSC085N025S G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-1
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,004

BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-5
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存38,712

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