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晶體管

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描述
庫存
數量
BSS126 E6906
BSS126 E6906

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: Depletion Mode
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,106
BSS126H6327XTSA1
BSS126H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: Depletion Mode
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存6,966
BSS126H6327XTSA2
BSS126H6327XTSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: Depletion Mode
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存6,408
BSS126H6906XTSA1
BSS126H6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: Depletion Mode
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存48,666
BSS126L6327HTSA1
BSS126L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: Depletion Mode
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,502
BSS126L6906HTSA1
BSS126L6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: Depletion Mode
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存7,200
BSS127 E6327
BSS127 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存4,518
BSS127H6327XTSA1
BSS127H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存6,606
BSS127H6327XTSA2
BSS127H6327XTSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存264,072
BSS127L6327HTSA1
BSS127L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 8µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存7,596
BSS127S-7
BSS127S-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.08nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21.8pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 610mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存348,996
BSS127SSN-7
BSS127SSN-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.08nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21.8pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 610mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SC-59
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存5,022
BSS131E6327
BSS131E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 56µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 77pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存7,038
BSS131H6327XTSA1
BSS131H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 56µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 77pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存888,906
BSS131L6327HTSA1
BSS131L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: SIPMOS®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 56µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 77pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,394
BSS138
BSS138

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

  • 制造商: MICROSS/On Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: Die
  • 包裝/箱: Die
庫存5,526
BSS138
BSS138

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存6,031,242
BSS138-13-F
BSS138-13-F

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

BSS FAMILY SOT23 T&R 10K

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,762
BSS138-7
BSS138-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,520
BSS138-7-F
BSS138-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存11,288,610
BSS138AKA/LF1R
BSS138AKA/LF1R

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250A
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.51nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 30V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 1.06W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存8,028
BSS138AKAR
BSS138AKAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.51nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47pF @ 30V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存55,854
BSS138BK,215
BSS138BK,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,222,274
BSS138BKVL
BSS138BKVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,690
BSS138BKW,115
BSS138BKW,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 260mW (Ta), 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SC-70
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
庫存617,436
BSS138BKW-BX
BSS138BKW-BX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SC-70
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
庫存8,784
BSS138-D87Z
BSS138-D87Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存5,976
BSS138-F085
BSS138-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,114
BSS138K
BSS138K

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±12V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 58pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存3,516,336
BSS138K-13
BSS138K-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 310mA (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.95nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23.2pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 380mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存536,496