晶體管

型號	描述	庫存
2SC5751-T2-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz 增益: 16dB 功率-最大: 205mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 20mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-343F 供應商設備包裝: SOT-343F	庫存8,946
2SC5752-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 12GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz 增益: 13dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: -	庫存4,266
2SC5752-T1-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 12GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz 增益: 13dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: SOT-343	庫存8,298
2SC5753-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 12GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz 增益: 13.5dB 功率-最大: 205mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-343F 供應商設備包裝: -	庫存3,222
2SC5753-T2-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 12GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz 增益: 13.5dB 功率-最大: 205mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-343F 供應商設備包裝: SOT-343F	庫存7,200
2SC5754-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5V 頻率-過渡: 20GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 735mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-343F 供應商設備包裝: -	庫存7,254
2SC5754-T2-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5V 頻率-過渡: 20GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.5dB 功率-最大: 735mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-343F 供應商設備包裝: SOT-343F	庫存7,920
40033 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,744
40036S Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,626
40036ST Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,538
42105 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,384
42106HS Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,526
42107HS Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,158
42108HS Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,042
42126 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,850
44010 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,616
44022H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,220
44086H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,798
45005 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,600
46007T Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,752
46010 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,888
46015 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,768
48042 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,064
55GN01CA-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 4.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 1GHz 增益: 9.5dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存3,690
55GN01FA-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 4.5GHz ~ 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 1GHz 增益: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-81 供應商設備包裝: 3-SSFP	庫存2,034
55GN01MA-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 4.5GHz ~ 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 1GHz 增益: 10dB @ 1GHz 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存25,806
58048 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,940
60099H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,354
60158 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,478
60159 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,736

2SC5751-T2-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz
增益: 16dB
功率-最大: 205mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 20mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-343F
供應商設備包裝: SOT-343F

庫存8,946

2SC5752-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 12GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz
增益: 13dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: -

庫存4,266

2SC5752-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 12GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz
增益: 13dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: SOT-343

庫存8,298

2SC5753-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 12GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz
增益: 13.5dB
功率-最大: 205mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-343F
供應商設備包裝: -

庫存3,222

2SC5753-T2-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 12GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 2GHz
增益: 13.5dB
功率-最大: 205mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 30mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-343F
供應商設備包裝: SOT-343F

庫存7,200

2SC5754-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5V
頻率-過渡: 20GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 735mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-343F
供應商設備包裝: -

庫存7,254

2SC5754-T2-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5V
頻率-過渡: 20GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.5dB
功率-最大: 735mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-343F
供應商設備包裝: SOT-343F

庫存7,920

40033

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,744

40036S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,626

40036ST

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,538

42105

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,384

42106HS

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,526

42107HS

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,158

42108HS

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,042

42126

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,850

44010

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,616

44022H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,220

44086H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,798

45005

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,600

46007T

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,752

46010

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,888

46015

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,768

48042

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,064

55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 4.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 1GHz
增益: 9.5dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存3,690

55GN01FA-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 4.5GHz ~ 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 1GHz
增益: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-81
供應商設備包裝: 3-SSFP

庫存2,034

55GN01MA-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 4.5GHz ~ 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.9dB @ 1GHz
增益: 10dB @ 1GHz
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存25,806

58048

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,940

60099H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,354

60158

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,478

60159

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,736

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