晶體管

型號	描述	庫存
2SC5015-T1-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 12GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz 增益: 11dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 10mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: SOT-343	庫存8,298
2SC501900L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINIP3-F1 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 6GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 800MHz 增益: 7.5dB ~ 10dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: MiniP3-F1	庫存3,618
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存7,038
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz 增益: 12dB ~ 17dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存23,124
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存47,898
2SC5066-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存4,662
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz 增益: 11dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存8,064
2SC5084YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz 增益: 11dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存17,244
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存4,320
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz 增益: 11dB ~ 16.5dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存2,754
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存1,247,322
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存4,554
2SC5087-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-61AA 供應商設備包裝: SMQ	庫存14,274
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-61AA 供應商設備包裝: SMQ	庫存28,608
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz 增益: 13dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-61AA 供應商設備包裝: SMQ	庫存3,060
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz 增益: 18dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: USQ	庫存5,292
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 10GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 2GHz 增益: 13dB ~ 7dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 7mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存6,048
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 10GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 2GHz 增益: 13dB ~ 7.5dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存2,232
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 10GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz 增益: 1.4dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存2,682
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 6GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存3,204
2SC5226A-4-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存4,014
2SC5226A-5-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存4,716
2SC5227A-4-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存3,834
2SC5227A-5-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存2,160
2SC5231A-8-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SMCP	庫存6,318
2SC5231A-9-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Gull Wing 供應商設備包裝: SMCP	庫存4,374
2SC5245A-4-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz 增益: 10dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-MCP	庫存4,122
2SC5277A-2-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz 增益: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SMCP	庫存6,732
2SC5336-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 6.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 1.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: -	庫存7,218
2SC5336-T1-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 6.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 1.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存7,632

2SC5015-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 12GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
增益: 11dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 10mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: SOT-343

庫存8,298

2SC501900L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINIP3-F1

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 6GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.7dB @ 800MHz
增益: 7.5dB ~ 10dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: MiniP3-F1

庫存3,618

2SC5065-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存7,038

2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 12dB ~ 17dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存23,124

2SC5066-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存47,898

2SC5066-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存4,662

2SC5084-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 11dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存8,064

2SC5084YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 11dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存17,244

2SC5085-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存4,320

2SC5085-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 11dB ~ 16.5dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存2,754

2SC5086-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存1,247,322

2SC5086-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存4,554

2SC5087-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-61AA
供應商設備包裝: SMQ

庫存14,274

2SC5087R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-61AA
供應商設備包裝: SMQ

庫存28,608

2SC5087YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 13dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-61AA
供應商設備包裝: SMQ

庫存3,060

2SC5088-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 500MHz
增益: 18dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: USQ

庫存5,292

2SC5095-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 10GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 2GHz
增益: 13dB ~ 7dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 7mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存6,048

2SC5095-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 10GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 2GHz
增益: 13dB ~ 7.5dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存2,232

2SC5096-R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 10GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1GHz
增益: 1.4dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存2,682

2SC5108-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 6GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存3,204

2SC5226A-4-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存4,014

2SC5226A-5-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存4,716

2SC5227A-4-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存3,834

2SC5227A-5-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存2,160

2SC5231A-8-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SMCP

庫存6,318

2SC5231A-9-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝: SMCP

庫存4,374

2SC5245A-4-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz
增益: 10dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-MCP

庫存4,122

2SC5277A-2-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
增益: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SMCP

庫存6,732

2SC5336-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 6.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 1.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: -

庫存7,218

2SC5336-T1-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 6.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 1.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存7,632

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message