晶體管

型號	描述	庫存
64065 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,246
64077 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,460
66068B Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,572
66082B Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,160
66099 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,724
66112 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,038
66116 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,344
68106H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,398
68201A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,196
68231H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,984
70060A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,760
70061A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,688
70062A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,892
74060H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,922
75060B Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,354
75086H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,268
75096A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,660
75101H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,582
75102 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,624
75109A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,714
75112 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,524
76016S Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,416
76020H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,370
80005 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,002
80262 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,436
80275H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,726
80277H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,338
80279H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,176
82094 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,222
90025HS Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,546

64065

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,246

64077

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,460

66068B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,572

66082B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,160

66099

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,724

66112

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,038

66116

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,344

68106H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,398

68201A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,196

68231H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,984

70060A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,760

70061A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,688

70062A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
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功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,892

74060H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
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增益: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,922

75060B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,354

75086H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
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增益: -
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安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,268

75096A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
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安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,660

75101H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,582

75102

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,624

75109A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,714

75112

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,524

76016S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,416

76020H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,370

80005

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,002

80262

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,436

80275H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,726

80277H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,338

80279H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,176

82094

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,222

90025HS

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,546

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