晶體管

型號	描述	庫存
IPW65R041CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存12,330
IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,798
IPW65R045C7300XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO-247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.25mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.34nF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,420
IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.25mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存16,596
IPW65R048CFDAFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO-247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,262
IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO-247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 171W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,968
IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.76mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 391W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,152
IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.76mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 391W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存23,184
IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.76mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5030pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 391W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存13,608
IPW65R080CFDFKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5030pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 391W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,176
IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 24A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,584
IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 127nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2780pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 278W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,112
IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 277.8W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存10,536
IPW65R110CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 277.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存11,028
IPW65R110CFDFKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 277.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,734
IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 101W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,300
IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 195.3W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,112
IPW65R150CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 195.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,632
IPW65R150CFDFKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 195.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,614
IPW65R190C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,354
IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 290µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 72W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,132
IPW65R190CFDAFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,408
IPW65R190CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 730µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存58,788
IPW65R190CFDFKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,924
IPW65R190E6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,218
IPW65R280C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,930
IPW65R280E6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,778
IPW65R310CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,264
IPW65R420CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,298
IPW65R420CFDFKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,964

IPW65R041CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存12,330

IPW65R041CFDFKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,798

IPW65R045C7300XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO-247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.25mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.34nF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,420

IPW65R045C7FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.25mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存16,596

IPW65R048CFDAFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO-247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,262

IPW65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO-247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 850µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3020pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 171W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,968

IPW65R070C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.76mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 391W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,152

IPW65R080CFDAFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.76mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 391W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存23,184

IPW65R080CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.76mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5030pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 391W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存13,608

IPW65R080CFDFKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5030pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 391W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,176

IPW65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,584

IPW65R099C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 38A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 127nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2780pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 278W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,112

IPW65R110CFDAFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 277.8W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存10,536

IPW65R110CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 277.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存11,028

IPW65R110CFDFKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 277.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,734

IPW65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 101W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,300

IPW65R150CFDAFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195.3W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,112

IPW65R150CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,632

IPW65R150CFDFKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,614

IPW65R190C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,354

IPW65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 290µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 72W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,132

IPW65R190CFDAFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,408

IPW65R190CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 730µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存58,788

IPW65R190CFDFKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,924

IPW65R190E6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,218

IPW65R280C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,930

IPW65R280E6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,778

IPW65R310CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,264

IPW65R420CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,298

IPW65R420CFDFKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,964

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