晶體管

型號	描述	庫存
IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 31A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,636
IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 278W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存12,810
IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 530µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1952pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 117W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,160
IPW60R105CFD7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 470µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1752pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,944
IPW60R120C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 92W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,118
IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,964
IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 960µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2127pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 219W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存12,660
IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 390µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1503pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 92W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,908
IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,662
IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 960µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 219W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,056
IPW60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,776
IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 750µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,226
IPW60R160P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 750µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,768
IPW60R165CPFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 192W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,010
IPW60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1199pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存11,484
IPW60R180C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,678
IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1081pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 72W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,632
IPW60R190C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 630µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,588
IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 630µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存16,176
IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 630µ 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1750pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,944
IPW60R199CPFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,744
IPW60R230P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 530µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 126W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,838
IPW60R250CP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,734
IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 430µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,864
IPW60R280E6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 430µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,874
IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 430µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,896
IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,030
IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 93W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,878
IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.92mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 446W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,100
IPW65R037C6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,596

IPW60R099CPFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 31A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,636

IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 278W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存12,810

IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 530µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1952pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 117W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,160

IPW60R105CFD7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 470µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1752pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,944

IPW60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 92W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,118

IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,964

IPW60R125C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 960µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2127pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 219W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存12,660

IPW60R125CFD7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 390µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1503pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 92W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,908

IPW60R125CPFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,662

IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 960µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 219W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,056

IPW60R145CFD7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,776

IPW60R160C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 750µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1660pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,226

IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 750µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,768

IPW60R165CPFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 21A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 192W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,010

IPW60R170CFD7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1199pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存11,484

IPW60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,678

IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1081pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 72W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,632

IPW60R190C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 630µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,588

IPW60R190E6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 630µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存16,176

IPW60R190P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 630µ
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1750pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,944

IPW60R199CPFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,744

IPW60R230P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 530µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 126W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,838

IPW60R250CP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 12A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,734

IPW60R280C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 430µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,864

IPW60R280E6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 430µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,874

IPW60R280P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 430µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,896

IPW60R299CPFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,030

IPW60R330P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 93W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,878

IPW65R019C7FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.92mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 446W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,100

IPW65R037C6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 83.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,596

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