晶體管

型號	描述	庫存
IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 6A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,388
IPW80R280P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 360µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 500V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 101W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,128
IPW80R290C3AFKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V TO247 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,732
IPW80R290C3AXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 AUTOMOTIVE 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,448
IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 84W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3-41 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,880
IPW90R120C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 2.9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 417W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,420
IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 2.9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800nF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 417W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,730
IPW90R1K0C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,528
IPW90R1K2C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,068
IPW90R340C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,888
IPW90R340C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,454
IPW90R500C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 740µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,508
IPW90R500C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 740µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,186
IPW90R800C3FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,050
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,958
IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 17µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存72,618
IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 771pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-32 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,988
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存125,370
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 17µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存53,688
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存128,622
IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,688
IPZ60R037P7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.48mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 121nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5243pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 255W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存3,600
IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.24mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 107nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 227W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存2,898
IPZ60R041P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 77.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.96mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 481W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存2,592
IPZ60R060C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 162W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存5,220
IPZ60R070P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.72mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 391W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存7,164
IPZ60R099C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1819pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存6,852
IPZ60R099P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 278W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存3,150
IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 219W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存3,400
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO247-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.92mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 446W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存6,444

IPW65R660CFDFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 6A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,388

IPW80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 360µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 500V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 101W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,128

IPW80R290C3AFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V TO247

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,732

IPW80R290C3AXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

AUTOMOTIVE

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,448

IPW80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 84W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3-41
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,880

IPW90R120C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 2.9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 417W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,420

IPW90R120C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 2.9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800nF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 417W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,730

IPW90R1K0C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,528

IPW90R1K2C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 310µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,068

IPW90R340C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 15A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,888

IPW90R340C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,454

IPW90R500C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 11A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 740µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,508

IPW90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 740µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,186

IPW90R800C3FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,050

IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,958

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 17µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存72,618

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 771pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-32
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,988

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存125,370

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 17µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存53,688

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存128,622

IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,688

IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.48mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 121nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5243pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 255W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存3,600

IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.24mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 107nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 227W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存2,898

IPZ60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 77.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.96mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8180pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 481W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存2,592

IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 162W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存5,220

IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.72mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 391W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存7,164

IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1819pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存6,852

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 278W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存3,150

IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.21mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3330pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 219W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存3,400

IPZ65R019C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO247-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.92mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 446W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存6,444

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