晶體管

型號	描述	庫存
IRF6620TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4130pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,394
IRF6620TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4130pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存33,000
IRF6621TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存5,382
IRF6621TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存7,614
IRF6621TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存3,636
IRF6622TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 34W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存4,806
IRF6622TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 34W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存4,968
IRF6623 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存3,384
IRF6623TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存4,068
IRF6623TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存7,092
IRF6623TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存37,458
IRF6626 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存4,824
IRF6626TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存5,652
IRF6626TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存5,904
IRF6626TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存2,826
IRF6628TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存4,518
IRF6628TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存4,698
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4260pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存5,904
IRF6629TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4260pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,682
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 57A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存5,274
IRF6631TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 57A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存7,776
IRF6633ATR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MU 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MU	庫存3,942
IRF6633ATRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MU 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MU	庫存4,410
IRF6633TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存7,884
IRF6633TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存8,658
IRF6633TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存2,628
IRF6635 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存3,636
IRF6635TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存3,780
IRF6635TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存4,554
IRF6635TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存6,876

IRF6620TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4130pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,394

IRF6620TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4130pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存33,000

IRF6621TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存5,382

IRF6621TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存7,614

IRF6621TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存3,636

IRF6622TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 34W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存4,806

IRF6622TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 34W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存4,968

IRF6623

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存3,384

IRF6623TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存4,068

IRF6623TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存7,092

IRF6623TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存37,458

IRF6626

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存4,824

IRF6626TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存5,652

IRF6626TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存5,904

IRF6626TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存2,826

IRF6628TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存4,518

IRF6628TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存4,698

IRF6629TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4260pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存5,904

IRF6629TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4260pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,682

IRF6631TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 57A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存5,274

IRF6631TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 57A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存7,776

IRF6633ATR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MU
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MU

庫存3,942

IRF6633ATRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MU
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MU

庫存4,410

IRF6633TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存7,884

IRF6633TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存8,658

IRF6633TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存2,628

IRF6635

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存3,636

IRF6635TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存3,780

IRF6635TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存4,554

IRF6635TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5970pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存6,876

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