晶體管

型號	描述	庫存
IRF6713STRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2880pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存6,156
IRF6714MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 166A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3890pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,484
IRF6714MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 166A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3890pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存5,490
IRF6715MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5340pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存7,830
IRF6715MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5340pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,034
IRF6716MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存4,824
IRF6716MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存8,838
IRF6717MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存8,226
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存182,220
IRF6718L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Ta), 270A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存5,364
IRF6718L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Ta), 270A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存8,496
IRF6720S2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 17W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET S1 包裝/箱: DirectFET™ Isometric S1	庫存6,696
IRF6720S2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 17W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET S1 包裝/箱: DirectFET™ Isometric S1	庫存5,490
IRF6721STR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存2,538
IRF6721STRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存3,400
IRF6722MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存5,778
IRF6722MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存2,268
IRF6722STR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存8,136
IRF6722STRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存2,736
IRF6724MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,700
IRF6724MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存5,994
IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存7,902
IRF6725MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,520
IRF6726MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT	庫存3,078
IRF6726MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT	庫存36,258
IRF6727MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6190pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,322
IRF6727MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6190pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,916
IRF6728MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存6,480
IRF6728MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存6,840
IRF6729MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 190A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存8,190

IRF6713STRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2880pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存6,156

IRF6714MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 166A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3890pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,484

IRF6714MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 166A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3890pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存5,490

IRF6715MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5340pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存7,830

IRF6715MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5340pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,034

IRF6716MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存4,824

IRF6716MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存8,838

IRF6717MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存8,226

IRF6717MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存182,220

IRF6718L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Ta), 270A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存5,364

IRF6718L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Ta), 270A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6500pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存8,496

IRF6720S2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 17W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET S1
包裝/箱: DirectFET™ Isometric S1

庫存6,696

IRF6720S2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta), 17W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET S1
包裝/箱: DirectFET™ Isometric S1

庫存5,490

IRF6721STR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存2,538

IRF6721STRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存3,400

IRF6722MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存5,778

IRF6722MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存2,268

IRF6722STR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存8,136

IRF6722STRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存2,736

IRF6724MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,700

IRF6724MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存5,994

IRF6725MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存7,902

IRF6725MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,520

IRF6726MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT

庫存3,078

IRF6726MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT

庫存36,258

IRF6727MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6190pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,322

IRF6727MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6190pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,916

IRF6728MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存6,480

IRF6728MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存6,840

IRF6729MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 190A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存8,190

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message