晶體管

型號	描述	庫存
IRF6636 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存4,680
IRF6636TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存7,200
IRF6636TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存8,982
IRF6636TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存38,430
IRF6637TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存7,074
IRF6637TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存8,118
IRF6637TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP	庫存6,408
IRF6638TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存5,364
IRF6638TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存7,272
IRF6641TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ	庫存8,676
IRF6641TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ	庫存5,652
IRF6643TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ	庫存4,788
IRF6643TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ	庫存33,756
IRF6644 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存4,050
IRF6644TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存5,184
IRF6644TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存6,516
IRF6644TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存39,312
IRF6645 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SJ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SJ	庫存6,444
IRF6645TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SJ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SJ	庫存5,328
IRF6645TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SJ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SJ	庫存170,100
IRF6646TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存5,058
IRF6646TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存7,794
IRF6646TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存3,798
IRF6648TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存5,238
IRF6648TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存8,028
IRF6648TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN	庫存86,340
IRF6655TR1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SH 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SH	庫存5,076
IRF6655TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SH 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SH	庫存5,004
IRF6655TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SH 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SH	庫存131,340
IRF6662TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.3A (Ta), 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ	庫存2,826

IRF6636

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存4,680

IRF6636TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存7,200

IRF6636TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存8,982

IRF6636TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2420pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存38,430

IRF6637TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存7,074

IRF6637TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存8,118

IRF6637TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MP
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MP

庫存6,408

IRF6638TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存5,364

IRF6638TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存7,272

IRF6641TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ

庫存8,676

IRF6641TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ

庫存5,652

IRF6643TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ

庫存4,788

IRF6643TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ

庫存33,756

IRF6644

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存4,050

IRF6644TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存5,184

IRF6644TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存6,516

IRF6644TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存39,312

IRF6645

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SJ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SJ

庫存6,444

IRF6645TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SJ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SJ

庫存5,328

IRF6645TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SJ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SJ

庫存170,100

IRF6646TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存5,058

IRF6646TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存7,794

IRF6646TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存3,798

IRF6648TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存5,238

IRF6648TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存8,028

IRF6648TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MN
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MN

庫存86,340

IRF6655TR1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SH
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SH

庫存5,076

IRF6655TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SH
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SH

庫存5,004

IRF6655TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SH
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SH

庫存131,340

IRF6662TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MZ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MZ

庫存2,826

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