晶體管

型號	描述	庫存
IRF7524D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,384
IRF7524D1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,614
IRF7526D1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,866
IRF7526D1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存5,886
IRF7526D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,272
IRF7526D1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存4,770
IRF7534D1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,420
IRF7534D1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,416
IRF7534D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存4,482
IRF7580MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 114A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DirectFET™ Isometric ME 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ME	庫存2,520
IRF7601PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存2,988
IRF7601TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,920
IRF7601TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存33,888
IRF7603TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存5,670
IRF7603TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存2,100
IRF7604TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,654
IRF7604TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,564
IRF7606TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,508
IRF7606TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存31,248
IRF7607 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存6,984
IRF7607TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存31,632
IRF7663 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存4,050
IRF7663TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存8,658
IRF7663TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存6,102
IRF7665S2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET SB 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SB	庫存5,058
IRF7665S2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET SB 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SB	庫存8,046
IRF7700 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存5,472
IRF7700GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存2,898
IRF7700TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存3,598
IRF7700TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存7,326

IRF7524D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,384

IRF7524D1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,614

IRF7526D1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,866

IRF7526D1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存5,886

IRF7526D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,272

IRF7526D1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存4,770

IRF7534D1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,420

IRF7534D1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,416

IRF7534D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存4,482

IRF7580MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 114A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DirectFET™ Isometric ME
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ME

庫存2,520

IRF7601PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存2,988

IRF7601TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,920

IRF7601TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存33,888

IRF7603TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存5,670

IRF7603TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存2,100

IRF7604TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,654

IRF7604TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,564

IRF7606TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,508

IRF7606TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存31,248

IRF7607

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存6,984

IRF7607TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存31,632

IRF7663

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存4,050

IRF7663TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存8,658

IRF7663TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存6,102

IRF7665S2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET SB
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SB

庫存5,058

IRF7665S2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET SB
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SB

庫存8,046

IRF7700

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存5,472

IRF7700GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存2,898

IRF7700TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存3,598

IRF7700TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存7,326

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