晶體管

型號	描述	庫存
IRF7483MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 135A 制造商: Infineon Technologies 系列: StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 135A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3913pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DirectFET™ Isometric MF 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MF	庫存5,544
IRF7484PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 7V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,636
IRF7484Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 7V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,700
IRF7484TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 7V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,088
IRF7488PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,824
IRF7488TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存88,716
IRF7490PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,550
IRF7490TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,192
IRF7492 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,038
IRF7492PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,330
IRF7492TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,986
IRF7492TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,978
IRF7493PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,200
IRF7493TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,852
IRF7493TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存33,066
IRF7494PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1783pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,750
IRF7494TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,840
IRF7494TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1783pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,294
IRF7495PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,388
IRF7495TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,820
IRF7495TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,544
IRF7521D1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,074
IRF7521D1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存4,914
IRF7521D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存7,938
IRF7521D1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,690
IRF7523D1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存3,240
IRF7523D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存4,284
IRF7523D1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存4,014
IRF7524D1GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-uSMD 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存2,340
IRF7524D1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存6,336

IRF7483MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 135A

制造商: Infineon Technologies
系列: StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 135A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3913pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DirectFET™ Isometric MF
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MF

庫存5,544

IRF7484PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 7V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,636

IRF7484Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 7V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,700

IRF7484TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 7V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,088

IRF7488PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,824

IRF7488TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存88,716

IRF7490PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,550

IRF7490TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,192

IRF7492

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,038

IRF7492PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,330

IRF7492TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,986

IRF7492TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,978

IRF7493PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,200

IRF7493TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,852

IRF7493TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存33,066

IRF7494PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1783pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,750

IRF7494TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,840

IRF7494TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1783pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,294

IRF7495PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,388

IRF7495TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,820

IRF7495TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,544

IRF7521D1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,074

IRF7521D1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存4,914

IRF7521D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存7,938

IRF7521D1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,690

IRF7523D1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存3,240

IRF7523D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存4,284

IRF7523D1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存4,014

IRF7524D1GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-uSMD
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存2,340

IRF7524D1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存6,336

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