晶體管

型號	描述	庫存
IRF7726TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2204pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Micro8™ 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	庫存65,382
IRF7737L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 156A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5469pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存8,694
IRF7738L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 184A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 194nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7471pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存2,070
IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 270A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存3,224
IRF7739L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存5,688
IRF7739L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存5,814
IRF7748L1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 148A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8075pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存3,978
IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存7,362
IRF7749L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存3,150
IRF7749L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存2,646
IRF7759L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12222pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存3,726
IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12222pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存34,878
IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存78,498
IRF7769L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存8,442
IRF7769L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存32,124
IRF7779L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存7,722
IRF7779L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存38,891
IRF7780MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 89A 制造商: Infineon Technologies 系列: StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6504pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DirectFET™ Isometric ME 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ME	庫存6,642
IRF7799L2TR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6714pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存8,820
IRF7799L2TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6714pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存3,526
IRF7805A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,582
IRF7805APBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,976
IRF7805ATR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,204
IRF7805ATRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,122
IRF7805PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,654
IRF7805QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,128
IRF7805TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,790
IRF7805ZGTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,580
IRF7805ZPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,446
IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,754

IRF7726TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2204pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Micro8™
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

庫存65,382

IRF7737L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 156A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5469pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存8,694

IRF7738L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 184A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 194nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7471pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存2,070

IRF7739L1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 270A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存3,224

IRF7739L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存5,688

IRF7739L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存5,814

IRF7748L1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 148A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8075pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存3,978

IRF7749L1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存7,362

IRF7749L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存3,150

IRF7749L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存2,646

IRF7759L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12222pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存3,726

IRF7759L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12222pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存34,878

IRF7769L1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存78,498

IRF7769L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存8,442

IRF7769L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存32,124

IRF7779L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存7,722

IRF7779L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存38,891

IRF7780MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 89A

制造商: Infineon Technologies
系列: StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6504pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DirectFET™ Isometric ME
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ME

庫存6,642

IRF7799L2TR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6714pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存8,820

IRF7799L2TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6714pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存3,526

IRF7805A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,582

IRF7805APBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,976

IRF7805ATR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,204

IRF7805ATRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,122

IRF7805PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,654

IRF7805QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,128

IRF7805TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,790

IRF7805ZGTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,580

IRF7805ZPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,446

IRF7805ZTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,754

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