晶體管

型號	描述	庫存
IRFBE20 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,064
IRFBE20L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,166
IRFBE20PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存23,796
IRFBE20S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,640
IRFBE20STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,266
IRFBE20STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,670
IRFBE30 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,092
IRFBE30L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,354
IRFBE30LPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存20,364
IRFBE30PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存29,220
IRFBE30S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,758
IRFBE30SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,520
IRFBE30STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,334
IRFBE30STRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,544
IRFBE30STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,940
IRFBF20 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,150
IRFBF20L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,184
IRFBF20LPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存24,594
IRFBF20PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存9,612
IRFBF20S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,084
IRFBF20SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,128
IRFBF20STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,472
IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,312
IRFBF20STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,308
IRFBF20STRRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,200
IRFBF30 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,614
IRFBF30L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,148
IRFBF30PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存15,270
IRFBF30S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,276
IRFBF30SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,100

IRFBE20

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,064

IRFBE20L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,166

IRFBE20PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存23,796

IRFBE20S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,640

IRFBE20STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,266

IRFBE20STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,670

IRFBE30

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,092

IRFBE30L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,354

IRFBE30LPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存20,364

IRFBE30PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存29,220

IRFBE30S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,758

IRFBE30SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,520

IRFBE30STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,334

IRFBE30STRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,544

IRFBE30STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,940

IRFBF20

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,150

IRFBF20L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,184

IRFBF20LPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存24,594

IRFBF20PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存9,612

IRFBF20S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,084

IRFBF20SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,128

IRFBF20STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,472

IRFBF20STRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,312

IRFBF20STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,308

IRFBF20STRRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,200

IRFBF30

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,614

IRFBF30L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,148

IRFBF30PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存15,270

IRFBF30S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,276

IRFBF30SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,100

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