晶體管

型號	描述	庫存
IRFD220PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存15,690
IRFD224 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存8,838
IRFD224PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存23,130
IRFD310 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存7,830
IRFD310PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存21,528
IRFD320 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 490mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存4,680
IRFD320PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 490mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存6,720
IRFD420 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存6,030
IRFD420PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存25,326
IRFD9010 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,634
IRFD9010PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存32,106
IRFD9014 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,454
IRFD9014PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存14,394
IRFD9020 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存6,552
IRFD9020PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存26,370
IRFD9024 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存2,772
IRFD9024PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存18,552
IRFD9110 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存6,552
IRFD9110PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存12,828
IRFD9113 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 15V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,436
IRFD9120 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存3,582
IRFD9120PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存23,904
IRFD9123 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,292
IRFD9123PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存6,912
IRFD9210 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存6,012
IRFD9210PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存15,336
IRFD9220 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 560mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,004
IRFD9220PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 560mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存14,016
IRFDC20 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存5,058
IRFDC20PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	庫存17,436

IRFD220PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存15,690

IRFD224

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存8,838

IRFD224PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存23,130

IRFD310

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存7,830

IRFD310PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存21,528

IRFD320

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 490mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存4,680

IRFD320PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 490mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存6,720

IRFD420

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存6,030

IRFD420PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存25,326

IRFD9010

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,634

IRFD9010PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存32,106

IRFD9014

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,454

IRFD9014PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存14,394

IRFD9020

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存6,552

IRFD9020PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存26,370

IRFD9024

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存2,772

IRFD9024PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存18,552

IRFD9110

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存6,552

IRFD9110PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存12,828

IRFD9113

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 15V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,436

IRFD9120

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存3,582

IRFD9120PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存23,904

IRFD9123

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,292

IRFD9123PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存6,912

IRFD9210

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存6,012

IRFD9210PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存15,336

IRFD9220

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 560mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,004

IRFD9220PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 560mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存14,016

IRFDC20

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存5,058

IRFDC20PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包裝/箱: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

庫存17,436

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message