晶體管

型號	描述	庫存
IRFBF30STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,210
IRFBF30STRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,634
IRFBF30STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,930
IRFBG20 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,394
IRFBG20L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,696
IRFBG20PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存19,248
IRFBG30 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,244
IRFBG30PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,032
IRFBL3315 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SUPER D2-PAK 包裝/箱: Super D2-Pak	庫存3,924
IRFBL3703 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 76A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 209nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 300W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SUPER D2-PAK 包裝/箱: Super D2-Pak	庫存2,466
IRFC048N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,680
IRFC048NB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,392
IRFC2604B Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,988
IRFC3004EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,982
IRFC3006EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,712
IRFC3107EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,572
IRFC3205ZEB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,538
IRFC3206EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,168
IRFC3306EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,694
IRFC3710ZEB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,086
IRFC4010EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,672
IRFC4020D Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,390
IRFC4104EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,496
IRFC4115EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V DIE ON WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,274
IRFC4115ED Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,892
IRFC4127ED Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,714
IRFC4227EB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,070
IRFC4227ED Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,478
IRFC430 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V TO PKG 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,544
IRFC4310EF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,166

IRFBF30STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,210

IRFBF30STRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,634

IRFBF30STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,930

IRFBG20

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,394

IRFBG20L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,696

IRFBG20PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存19,248

IRFBG30

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,244

IRFBG30PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,032

IRFBL3315

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SUPER D2-PAK
包裝/箱: Super D2-Pak

庫存3,924

IRFBL3703

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 76A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 209nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 300W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SUPER D2-PAK
包裝/箱: Super D2-Pak

庫存2,466

IRFC048N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,680

IRFC048NB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,392

IRFC2604B

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,988

IRFC3004EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,982

IRFC3006EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,712

IRFC3107EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,572

IRFC3205ZEB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,538

IRFC3206EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,168

IRFC3306EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,694

IRFC3710ZEB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,086

IRFC4010EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,672

IRFC4020D

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,390

IRFC4104EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,496

IRFC4115EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V DIE ON WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,274

IRFC4115ED

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,892

IRFC4127ED

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,714

IRFC4227EB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,070

IRFC4227ED

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,478

IRFC430

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V TO PKG

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,544

IRFC4310EF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,166

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