晶體管

型號	描述	庫存
IRFH5106TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3090pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,556
IRFH5106TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3090pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,078
IRFH5110TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3152pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,582
IRFH5110TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3152pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,328
IRFH5204TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 22A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存3,598
IRFH5204TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 22A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存2,484
IRFH5206TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,498
IRFH5206TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,464
IRFH5207TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 71A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2474pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,420
IRFH5207TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 71A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2474pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,050
IRFH5210TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,228
IRFH5210TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存86,922
IRFH5215TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta), 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存3,798
IRFH5215TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta), 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存8,964
IRFH5220TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta), 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存4,770
IRFH5220TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta), 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad	庫存2,538
IRFH5250DTR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6115pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,070
IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6115pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,796
IRFH5250TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 45A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7174pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,316
IRFH5250TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 45A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7174pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存34,656
IRFH5255TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 988pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,208
IRFH5255TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 988pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,136
IRFH5300TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,140
IRFH5300TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存35,730
IRFH5301TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5114pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,688
IRFH5301TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5114pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,274
IRFH5302DTR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3635pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,130
IRFH5302DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3635pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,434
IRFH5302TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,554
IRFH5302TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,208

IRFH5106TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3090pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,556

IRFH5106TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3090pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,078

IRFH5110TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3152pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,582

IRFH5110TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3152pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 114W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,328

IRFH5204TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 22A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存3,598

IRFH5204TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 22A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存2,484

IRFH5206TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,498

IRFH5206TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,464

IRFH5207TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 71A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2474pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,420

IRFH5207TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 71A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2474pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 105W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,050

IRFH5210TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,228

IRFH5210TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存86,922

IRFH5215TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta), 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存3,798

IRFH5215TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta), 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存8,964

IRFH5220TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存4,770

IRFH5220TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN Exposed Pad

庫存2,538

IRFH5250DTR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6115pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,070

IRFH5250DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6115pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,796

IRFH5250TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 45A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7174pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,316

IRFH5250TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 45A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7174pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存34,656

IRFH5255TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 988pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,208

IRFH5255TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 988pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,136

IRFH5300TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,140

IRFH5300TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存35,730

IRFH5301TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5114pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,688

IRFH5301TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5114pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,274

IRFH5302DTR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3635pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,130

IRFH5302DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3635pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,434

IRFH5302TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,554

IRFH5302TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,208

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