晶體管

型號	描述	庫存
IRFR9210TRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,456
IRFR9210TRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,796
IRFR9210TRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,086
IRFR9214 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,588
IRFR9214PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存78,156
IRFR9214TR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,154
IRFR9214TRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,966
IRFR9214TRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存23,940
IRFR9214TRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存31,332
IRFR9214TRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,426
IRFR9220 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,942
IRFR9220PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存29,112
IRFR9220TR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,526
IRFR9220TRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,416
IRFR9220TRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,336
IRFR9220TRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存56,406
IRFR9220TRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,574
IRFR9220TRRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,182
IRFR9310 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,230
IRFR9310PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存49,674
IRFR9310TR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,794
IRFR9310TRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,264
IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,258
IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,732
IRFR9310TRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,904
IRFR9310TRRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,688
IRFR9N20DPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,902
IRFR9N20DTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,622
IRFR9N20DTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,480
IRFR9N20DTRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,652

IRFR9210TRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,456

IRFR9210TRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,796

IRFR9210TRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,086

IRFR9214

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,588

IRFR9214PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存78,156

IRFR9214TR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,154

IRFR9214TRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,966

IRFR9214TRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存23,940

IRFR9214TRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存31,332

IRFR9214TRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,426

IRFR9220

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,942

IRFR9220PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存29,112

IRFR9220TR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,526

IRFR9220TRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,416

IRFR9220TRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,336

IRFR9220TRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存56,406

IRFR9220TRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,574

IRFR9220TRRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,182

IRFR9310

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,230

IRFR9310PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存49,674

IRFR9310TR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,794

IRFR9310TRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,264

IRFR9310TRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,258

IRFR9310TRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,732

IRFR9310TRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,904

IRFR9310TRRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,688

IRFR9N20DPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,902

IRFR9N20DTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,622

IRFR9N20DTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,480

IRFR9N20DTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,652

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