晶體管

型號	描述	庫存
IXFX180N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 345nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1390W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,330
IXFX200N10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,034
IXFX20N120 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,264
IXFX20N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,004
IXFX20N80Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,454
IXFX210N17T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 170V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 285nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,022
IXFX210N30X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 375nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24.2nF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,490
IXFX21N100F IXYS-RF	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 制造商: IXYS-RF 系列: HiPerRF™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,344
IXFX21N100Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,650
IXFX220N17T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 170V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,338
IXFX230N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 378nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1670W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,504
IXFX240N15T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 460nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,650
IXFX240N25X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 345nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存13,074
IXFX24N100 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 267nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,740
IXFX24N100F IXYS-RF	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 制造商: IXYS-RF 系列: HiPerRF™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,894
IXFX24N100Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1000W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,374
IXFX24N90Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,634
IXFX250N10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,154
IXFX25N90 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,526
IXFX260N17T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 170V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 400nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1670W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,444
IXFX26N100P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,472
IXFX26N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,726
IXFX26N60Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,654
IXFX26N90 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,088
IXFX27N80Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,124
IXFX300N20X3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 375nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,880
IXFX30N100Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 735W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,138
IXFX30N110P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,190
IXFX30N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH PLUS247 制造商: IXYS 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,740
IXFX30N50Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,978

IXFX180N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 345nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1390W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,330

IXFX200N10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,034

IXFX20N120

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,264

IXFX20N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,004

IXFX20N80Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,454

IXFX210N17T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 170V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 285nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,022

IXFX210N30X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 375nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24.2nF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,490

IXFX21N100F

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

制造商: IXYS-RF
系列: HiPerRF™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,344

IXFX21N100Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,650

IXFX220N17T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 170V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,338

IXFX230N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 378nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1670W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,504

IXFX240N15T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,650

IXFX240N25X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 345nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存13,074

IXFX24N100

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 267nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,740

IXFX24N100F

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

制造商: IXYS-RF
系列: HiPerRF™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,894

IXFX24N100Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1000W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,374

IXFX24N90Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,634

IXFX250N10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,154

IXFX25N90

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,526

IXFX260N17T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 170V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 400nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1670W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,444

IXFX26N100P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,472

IXFX26N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,726

IXFX26N60Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,654

IXFX26N90

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,088

IXFX27N80Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,124

IXFX300N20X3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 375nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,880

IXFX30N100Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 735W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,138

IXFX30N110P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,190

IXFX30N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH PLUS247

制造商: IXYS
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,740

IXFX30N50Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,978

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