晶體管

型號	描述	庫存
IXKR25N80C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 355nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存8,460
IXKR40N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存8,946
IXKR47N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存6,606
IXKT70N60C5-TRL IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 制造商: IXYS 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,628
IXKT70N60C5-TUB IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 68A TO-268 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-268 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存6,516
IXRFSM12N100 IXYS-RF	晶體管-FET，MOSFET-單 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE 制造商: IXYS-RF 系列: SMPD FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2875pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 940W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 16-SMPD 包裝/箱: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad	庫存3,438
IXRFSM18N50 IXYS-RF	晶體管-FET，MOSFET-單 18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE 制造商: IXYS-RF 系列: SMPD FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 835W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 16-SMPD 包裝/箱: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad	庫存6,120
IXT-1-1N100S1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,776
IXT-1-1N100S1-TR IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,642
IXTA02N250 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,622
IXTA02N250HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,842
IXTA02N450HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 4500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 256pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 113W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,794
IXTA05N100 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,310
IXTA05N100HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,766
IXTA06N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarVHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,972
IXTA08N100D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,798
IXTA08N100D2HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263HV 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,758
IXTA08N100P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,672
IXTA08N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 333pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,382
IXTA08N50D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 312pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,398
IXTA100N04T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2690pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,364
IXTA100N15X4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 100A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3970pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AA 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,886
IXTA102N15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 455W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,714
IXTA10N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,880
IXTA10P50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2840pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存28,860
IXTA10P50P-TRL IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2840pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存67,062
IXTA110N055P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,788
IXTA110N055T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,204
IXTA110N055T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,326
IXTA110N055T7 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 (IXTA..7) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存3,312

IXKR25N80C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 355nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存8,460

IXKR40N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存8,946

IXKR47N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存6,606

IXKT70N60C5-TRL

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 600V 68A TO-268

制造商: IXYS
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,628

IXKT70N60C5-TUB

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 68A TO-268

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-268
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存6,516

IXRFSM12N100

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE

制造商: IXYS-RF
系列: SMPD
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2875pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 16-SMPD
包裝/箱: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

庫存3,438

IXRFSM18N50

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE

制造商: IXYS-RF
系列: SMPD
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 835W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 16-SMPD
包裝/箱: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

庫存6,120

IXT-1-1N100S1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,776

IXT-1-1N100S1-TR

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,642

IXTA02N250

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,622

IXTA02N250HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,842

IXTA02N450HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 4500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 256pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,794

IXTA05N100

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,310

IXTA05N100HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,766

IXTA06N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarVHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,972

IXTA08N100D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,798

IXTA08N100D2HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263HV
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,758

IXTA08N100P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,672

IXTA08N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 333pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,382

IXTA08N50D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 312pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,398

IXTA100N04T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2690pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,364

IXTA100N15X4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 100A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3970pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AA
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,886

IXTA102N15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 455W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,714

IXTA10N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,880

IXTA10P50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2840pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存28,860

IXTA10P50P-TRL

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2840pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存67,062

IXTA110N055P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,788

IXTA110N055T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,204

IXTA110N055T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,326

IXTA110N055T7

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7 (IXTA..7)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存3,312

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