晶體管

型號	描述	庫存
NTD4913N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1013pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.36W (Ta), 24W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,330
NTD4913NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta), 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1013pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.36W (Ta), 24W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,986
NTD4959N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,014
NTD4959N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存4,194
NTD4959NH-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,492
NTD4959NH-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,388
NTD4959NHT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,340
NTD4959NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,382
NTD4960N-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,262
NTD4960N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,370
NTD4960NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,556
NTD4963N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta), 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,400
NTD4963NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.1A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta), 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,212
NTD4965N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1710pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.39W (Ta), 38.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,448
NTD4965NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 68A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1710pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.39W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存21,714
NTD4969N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,238
NTD4969NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 41A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存36,564
NTD4970N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 38A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 774pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存19,644
NTD4970NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 38A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 774pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,362
NTD4979N-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,058
NTD4979NT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,966
NTD50N03R ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,394
NTD50N03R-001 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,544
NTD50N03R-035 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,802
NTD50N03R-1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,820
NTD50N03R-35G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存4,140
NTD50N03RG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,894
NTD50N03RT4 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,308
NTD50N03RT4G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,484
NTD5406NG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.2A (Ta), 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 32V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,804

NTD4913N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1013pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.36W (Ta), 24W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,330

NTD4913NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1013pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.36W (Ta), 24W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,986

NTD4959N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,014

NTD4959N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存4,194

NTD4959NH-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,492

NTD4959NH-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,388

NTD4959NHT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2155pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,340

NTD4959NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1456pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,382

NTD4960N-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,262

NTD4960N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,370

NTD4960NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,556

NTD4963N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,400

NTD4963NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.1A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1035pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,212

NTD4965N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1710pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,448

NTD4965NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 68A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1710pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.39W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存21,714

NTD4969N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,238

NTD4969NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 41A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存36,564

NTD4970N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 38A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 774pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存19,644

NTD4970NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 38A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 774pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,362

NTD4979N-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,058

NTD4979NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 837pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,966

NTD50N03R

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,394

NTD50N03R-001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,544

NTD50N03R-035

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,802

NTD50N03R-1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,820

NTD50N03R-35G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存4,140

NTD50N03RG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,894

NTD50N03RT4

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,308

NTD50N03RT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 11.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 11.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,484

NTD5406NG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 32V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,804

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