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晶體管

記錄 64,903
頁面 180/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
2N5321
2N5321

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,672
2N5322
2N5322

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP 10W TRANS./2N5320 COMPLIMENT

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 75V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 700mV @ 50mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 500mA, 4V
  • 功率-最大: 10W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-39
庫存3,276
2N5322
2N5322

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 75V 2A TO-39

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 75V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 500mA, 4V
  • 功率-最大: 10W
  • 頻率-過渡: 50MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-39
庫存16,488
2N5323
2N5323

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP 10W TRANS./2N5321 COMPLIMENT

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 500mA, 4V
  • 功率-最大: 10W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存2,412
2N5336
2N5336

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,706
2N5337
2N5337

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,094
2N5339
2N5339

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

SILICON NPN TRANSISTORS

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 5A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 100V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
  • 當前-集電極截止(最大值): 100µA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 2A, 2V
  • 功率-最大: 6W
  • 頻率-過渡: 30MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-39
庫存2,304
2N5339
2N5339

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,220
2N5347
2N5347

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,952
2N5348
2N5348

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,438
2N5349
2N5349

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,030
2N5366
2N5366

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 40V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1V @ 30mA, 300mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 1V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存8,910
2N5366
2N5366

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 300mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1V @ 30mA, 300mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 1V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92
庫存2,196
2N5366_D26Z
2N5366_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 40V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1V @ 30mA, 300mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 1V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存6,336
2N5366_D27Z
2N5366_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 40V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1V @ 30mA, 300mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 1V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存5,364
2N5366_D75Z
2N5366_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 40V 0.5A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1V @ 30mA, 300mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 1V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存4,950
2N5367
2N5367

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 300mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1V @ 30mA, 300mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 1V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92
庫存3,672
2N5375
2N5375

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 30V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 50nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • 功率-最大: 360mW
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92
庫存8,820
2N5384
2N5384

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,596
2N5385
2N5385

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTORS

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,236
2N5400
2N5400

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存3,276
2N5400_D26Z
2N5400_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存7,434
2N5400_D27Z
2N5400_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存4,878
2N5400_D75Z
2N5400_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存7,056
2N5400_D81Z
2N5400_D81Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存3,546
2N5400G
2N5400G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存6,282
2N5400RA
2N5400RA

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存8,550
2N5400RLRP
2N5400RLRP

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存3,544
2N5400RLRPG
2N5400RLRPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 120V 0.6A TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 400MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存5,004
2N5400_S00Z
2N5400_S00Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANSISTOR PNP 120V 600MA TO-92

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 120V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 10mA, 5V
  • 功率-最大: 625mW
  • 頻率-過渡: 100MHz
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存4,536