晶體管

型號	描述	庫存
2N5551 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,470
2N5551 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存16,302
2N5551,116 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.3A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 630mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,966
2N5551,412 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.3A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 630mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,164
2N5551BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存172,722
2N5551CBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,708
2N5551CTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,258
2N5551CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,178
2N5551G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,506
2N5551_J05Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,744
2N5551_J18Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,304
2N5551_J61Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,700
2N5551RL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,896
2N5551RL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,642
2N5551RLRA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,670
2N5551RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,068
2N5551RLRM ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,526
2N5551RLRMG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,190
2N5551RLRP ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,632
2N5551RLRPG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,058
2N5551TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存79,554
2N5551TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,644
2N5551TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存32,070
2N5551TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存85,470
2N5551ZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,182
2N5551ZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,508
2N5578 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-66 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存104
2N5581 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.8A TO46 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46 (TO-206AB)	庫存7,398
2N5582 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.8A TO-46 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-46-3	庫存8,550
2N5655 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10mV 功率-最大: 20W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存2,304

2N5551

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,470

2N5551

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存16,302

2N5551,116

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.3A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 630mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,966

2N5551,412

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.3A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 630mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,164

2N5551BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存172,722

2N5551CBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,708

2N5551CTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,258

2N5551CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,178

2N5551G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,506

2N5551_J05Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,744

2N5551_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,304

2N5551_J61Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,700

2N5551RL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,896

2N5551RL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,642

2N5551RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,670

2N5551RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,068

2N5551RLRM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,526

2N5551RLRMG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,190

2N5551RLRP

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,632

2N5551RLRPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,058

2N5551TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存79,554

2N5551TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,644

2N5551TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存32,070

2N5551TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存85,470

2N5551ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,182

2N5551ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,508

2N5578

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-66

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存104

2N5581

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO46

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46 (TO-206AB)

庫存7,398

2N5582

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.8A TO-46

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-46-3

庫存8,550

2N5655

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10mV
功率-最大: 20W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存2,304

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