晶體管

IRGBC20UD2

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 6.5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC30F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT FAST 600V 31A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 17A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC30FD2

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 17A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC30S

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT STD 600V 34A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 18A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC30U

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC30UD2

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC40S

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT STD 600V 50A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 31A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBC40U

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGBF20F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT FAST 900V 20A TO-220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.3V @ 15V, 5.3A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGC14C40LD

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT IGNITION LL

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 430V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 4.5V, 10A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4056B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4059B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4060B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4061B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4062B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4063B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4064B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4067B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.05V @ 15V, 120A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/160ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4069B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4263B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4630B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGC4660B

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRGH4607DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 8PQFN

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRGH4610DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 8PQFN

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRGI4045DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 11A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 33W
• 開關能量: 64µJ (on), 123µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/73ns
• 測試條件: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 73ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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IRGI4056DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 18A 34W TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 27A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 9A
• 功率-最大: 34W
• 開關能量: 59µJ (on), 177µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 25nC
• 25°C時的Td（開/關）: 34ns/84ns
• 測試條件: 400V, 9A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 72ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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IRGI4059DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT TO220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGI4060DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 23A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.72V @ 15V, 7.5A
• 功率-最大: 37W
• 開關能量: 47µJ (on), 141µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29ns/101ns
• 測試條件: 400V, 7.5A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 73ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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IRGI4061DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 43W TO220FP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.59V @ 15V, 11A
• 功率-最大: 43W
• 開關能量: 52µJ (on), 231µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 35nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/111ns
• 測試條件: 400V, 11A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRGI4062DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 22A 48W TO220AB

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 44A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.58V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 48W
• 開關能量: 31µJ (on), 183µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 48nC
• 25°C時的Td（開/關）: 41ns/100ns
• 測試條件: 400V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 56ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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