晶體管

型號	描述	庫存
IRG8CH137K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT CHIP WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 150A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 820nC 25°C時的Td（開/關）: 115ns/570ns 測試條件: 600V, 150A, 2Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,114
IRG8CH15K10D Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,730
IRG8CH15K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 65nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/170ns 測試條件: 600V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存2,574
IRG8CH184K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT CHIP WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 200A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 1110nC 25°C時的Td（開/關）: 135ns/640ns 測試條件: 600V, 200A, 2Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存8,910
IRG8CH20K10D Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,082
IRG8CH20K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 90nC 25°C時的Td（開/關）: 20ns/170ns 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存2,862
IRG8CH29K10D Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,370
IRG8CH29K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 160nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,294
IRG8CH37K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 100A DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 210nC 25°C時的Td（開/關）: 35ns/190ns 測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,712
IRG8CH42K10D Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 40A DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,302
IRG8CH42K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 40A DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 230nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/240ns 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存4,212
IRG8CH50K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT CHIP WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 245nC 25°C時的Td（開/關）: 60ns/285ns 測試條件: 600V, 50A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存2,826
IRG8CH76K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT CHIP WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 480nC 25°C時的Td（開/關）: 80ns/210ns 測試條件: 600V, 75A, 1.5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,276
IRG8CH97K10F Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 100A DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 100A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 600nC 25°C時的Td（開/關）: 100ns/230ns 測試條件: 600V, 100A, 1Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,708
IRG8P08N120KD-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電流-集電極脈沖（Icm）: 15A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 5A 功率-最大: 89W 開關能量: 300µJ (on), 300µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 45nC 25°C時的Td（開/關）: 20ns/160ns 測試條件: 600V, 5A, 47Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 50ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AD	庫存5,472
IRG8P08N120KDPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電流-集電極脈沖（Icm）: 15A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 5A 功率-最大: 89W 開關能量: 300µJ (on), 300µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 45nC 25°C時的Td（開/關）: 20ns/160ns 測試條件: 600V, 5A, 47Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 50ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AC	庫存5,328
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A 功率-最大: 125W 開關能量: 600µJ (on), 600µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 98nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/170ns 測試條件: 600V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AD	庫存2,286
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A 功率-最大: 125W 開關能量: 600µJ (on), 600µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 98nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/170ns 測試條件: 600V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AC	庫存2,826
IRG8P25N120KD-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A 功率-最大: 180W 開關能量: 800µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 135nC 25°C時的Td（開/關）: 20ns/170ns 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 70ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AD	庫存2,016
IRG8P25N120KDPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A 功率-最大: 180W 開關能量: 800µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 135nC 25°C時的Td（開/關）: 20ns/170ns 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 70ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AC	庫存2,502
IRG8P40N120KD-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A 功率-最大: 305W 開關能量: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 240nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 80ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AD	庫存7,200
IRG8P40N120KDPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A 功率-最大: 305W 開關能量: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 240nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 80ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AC	庫存128
IRG8P45N65UD1-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 G8 650V 45A CO-PAK-247 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,338
IRG8P45N65UD1PBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 G8 650V 45A CO-PAK-247 制造商: Infineon Technologies 系列: * IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,698
IRG8P50N120KD-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 105A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 功率-最大: 350W 開關能量: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 315nC 25°C時的Td（開/關）: 35ns/190ns 測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 170ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AD	庫存2,844
IRG8P50N120KDPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 105A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 功率-最大: 350W 開關能量: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 315nC 25°C時的Td（開/關）: 35ns/190ns 測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 170ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AC	庫存5,742
IRG8P60N120KD-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A 功率-最大: 420W 開關能量: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 345nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/240ns 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 210ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AD	庫存2,844
IRG8P60N120KDPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A 功率-最大: 420W 開關能量: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 345nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/240ns 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 210ns 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247AC	庫存3,472
IRG8P75N65UD1-EPBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 G8 650V 75A CO-PAK-247 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,866
IRG8P75N65UD1PBF Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 G8 650V 75A CO-PAK-247 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: - 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: - 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,732

IRG8CH137K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 150A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 820nC
25°C時的Td（開/關）: 115ns/570ns
測試條件: 600V, 150A, 2Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,114

IRG8CH15K10D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,730

IRG8CH15K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 65nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/170ns
測試條件: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存2,574

IRG8CH184K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 200A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 1110nC
25°C時的Td（開/關）: 135ns/640ns
測試條件: 600V, 200A, 2Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存8,910

IRG8CH20K10D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,082

IRG8CH20K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 90nC
25°C時的Td（開/關）: 20ns/170ns
測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存2,862

IRG8CH29K10D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,370

IRG8CH29K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 160nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,294

IRG8CH37K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 210nC
25°C時的Td（開/關）: 35ns/190ns
測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,712

IRG8CH42K10D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,302

IRG8CH42K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 230nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/240ns
測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存4,212

IRG8CH50K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 245nC
25°C時的Td（開/關）: 60ns/285ns
測試條件: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存2,826

IRG8CH76K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 480nC
25°C時的Td（開/關）: 80ns/210ns
測試條件: 600V, 75A, 1.5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,276

IRG8CH97K10F

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 100A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 600nC
25°C時的Td（開/關）: 100ns/230ns
測試條件: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,708

IRG8P08N120KD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電流-集電極脈沖（Icm）: 15A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 5A
功率-最大: 89W
開關能量: 300µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 45nC
25°C時的Td（開/關）: 20ns/160ns
測試條件: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 50ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AD

庫存5,472

IRG8P08N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電流-集電極脈沖（Icm）: 15A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 5A
功率-最大: 89W
開關能量: 300µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 45nC
25°C時的Td（開/關）: 20ns/160ns
測試條件: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 50ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AC

庫存5,328

IRG8P15N120KD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A
功率-最大: 125W
開關能量: 600µJ (on), 600µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 98nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/170ns
測試條件: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AD

庫存2,286

IRG8P15N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 10A
功率-最大: 125W
開關能量: 600µJ (on), 600µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 98nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/170ns
測試條件: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AC

庫存2,826

IRG8P25N120KD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A
功率-最大: 180W
開關能量: 800µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 135nC
25°C時的Td（開/關）: 20ns/170ns
測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 70ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AD

庫存2,016

IRG8P25N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A
功率-最大: 180W
開關能量: 800µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 135nC
25°C時的Td（開/關）: 20ns/170ns
測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 70ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AC

庫存2,502

IRG8P40N120KD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A
功率-最大: 305W
開關能量: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 240nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 80ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AD

庫存7,200

IRG8P40N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A
功率-最大: 305W
開關能量: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 240nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 80ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AC

庫存128

IRG8P45N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

G8 650V 45A CO-PAK-247

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,338

IRG8P45N65UD1PBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

G8 650V 45A CO-PAK-247

制造商: Infineon Technologies
系列: *
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,698

IRG8P50N120KD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 105A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
功率-最大: 350W
開關能量: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 315nC
25°C時的Td（開/關）: 35ns/190ns
測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 170ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AD

庫存2,844

IRG8P50N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 105A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
功率-最大: 350W
開關能量: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 315nC
25°C時的Td（開/關）: 35ns/190ns
測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 170ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AC

庫存5,742

IRG8P60N120KD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
功率-最大: 420W
開關能量: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 345nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/240ns
測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 210ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AD

庫存2,844

IRG8P60N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
功率-最大: 420W
開關能量: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 345nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/240ns
測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 210ns
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247AC

庫存3,472

IRG8P75N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

G8 650V 75A CO-PAK-247

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,866

IRG8P75N65UD1PBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

G8 650V 75A CO-PAK-247

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: -
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: -
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,732

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