晶體管

型號	描述	庫存
SGB15N60HSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 27A 138W TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 15A 功率-最大: 138W 開關能量: 530µJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 80nC 25°C時的Td（開/關）: 13ns/209ns 測試條件: 400V, 15A, 23Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝: PG-TO263-3	庫存5,580
SGB20N60ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 179W TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A 功率-最大: 179W 開關能量: 440µJ (on), 330µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 100nC 25°C時的Td（開/關）: 36ns/225ns 測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝: PG-TO263-3	庫存2,430
SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 41A 250W TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A 電流-集電極脈沖（Icm）: 112A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A 功率-最大: 250W 開關能量: 1.29mJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 140nC 25°C時的Td（開/關）: 44ns/291ns 測試條件: 400V, 30A, 11Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝: PG-TO263-3	庫存2,898
SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.2A 電流-集電極脈沖（Icm）: 9.6A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 2A 功率-最大: 62W 開關能量: 220µJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 11nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/260ns 測試條件: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: PG-TO252-3	庫存6,002
SGD02N60BUMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 6A 30W TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 2A 功率-最大: 30W 開關能量: 64µJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 14nC 25°C時的Td（開/關）: 20ns/259ns 測試條件: 400V, 2A, 118Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: PG-TO252-3	庫存8,604
SGD04N60BUMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9.4A 電流-集電極脈沖（Icm）: 19A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 4A 功率-最大: 50W 開關能量: 131µJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 24nC 25°C時的Td（開/關）: 22ns/237ns 測試條件: 400V, 4A, 67Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: PG-TO252-3	庫存4,482
SGD06N60BUMA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 12A 68W TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 6A 功率-最大: 68W 開關能量: 215µJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 32nC 25°C時的Td（開/關）: 25ns/220ns 測試條件: 400V, 6A, 50Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: PG-TO252-3	庫存6,282
SGF23N60UFDM1TU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 23A 75W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A 功率-最大: 75W 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 49nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-3PF	庫存4,050
SGF23N60UFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 23A 75W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A 功率-最大: 75W 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 49nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-3PF	庫存8,226
SGF23N60UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 23A 75W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A 功率-最大: 75W 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-3PF	庫存4,626
SGF40N60UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 100W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A 功率-最大: 100W 開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 97nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-3PF	庫存6,984
SGF5N150UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.5V @ 10V, 5A 功率-最大: 62.5W 開關能量: 190µJ (on), 100µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 30nC 25°C時的Td（開/關）: 10ns/30ns 測試條件: 600V, 5A, 10Ohm, 10V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-3PF	庫存5,688
SGF80N60UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 80A 110W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A 功率-最大: 110W 開關能量: 570µJ (on), 590µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 175nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/90ns 測試條件: 300V, 40A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-3PF	庫存5,562
SGH10N60RUFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 16A 75W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 10A 功率-最大: 75W 開關能量: 141µJ (on), 215µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 30nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/36ns 測試條件: 300V, 10A, 20Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存6,264
SGH15N60RUFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 24A 160W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 15A 功率-最大: 160W 開關能量: 320µJ (on), 356µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 42nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/44ns 測試條件: 300V, 15A, 13Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存8,244
SGH15N60RUFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 24A 160W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 15A 功率-最大: 160W 開關能量: 320µJ (on), 356µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 42nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/44ns 測試條件: 300V, 15A, 13Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存5,346
SGH20N60RUFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 32A 195W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 20A 功率-最大: 195W 開關能量: 524µJ (on), 473µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 55nC 25°C時的Td（開/關）: 30ns/48ns 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 95ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存3,580
SGH23N60UFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 23A 100W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A 功率-最大: 100W 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 49nC 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存8,064
SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 48A 235W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 30A 功率-最大: 235W 開關能量: 919µJ (on), 814µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 85nC 25°C時的Td（開/關）: 30ns/54ns 測試條件: 300V, 30A, 7Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 95ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存3,436
SGH30N60RUFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 48A 235W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 30A 功率-最大: 235W 開關能量: 919µJ (on), 814µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 85nC 25°C時的Td（開/關）: 30ns/54ns 測試條件: 300V, 30A, 7Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存7,326
SGH40N60UFDM1TU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 160W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A 功率-最大: 160W 開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 97nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存2,754
SGH40N60UFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 160W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A 功率-最大: 160W 開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 97nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 60ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存6,066
SGH40N60UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 160W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A 功率-最大: 160W 開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 97nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存2,340
SGH80N60UFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 80A 195W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A 功率-最大: 195W 開關能量: 570µJ (on), 590µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 175nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/90ns 測試條件: 300V, 40A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 95ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存7,704
SGH80N60UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 80A 195W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A 功率-最大: 195W 開關能量: 570µJ (on), 590µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 175nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/90ns 測試條件: 300V, 40A, 5Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存8,802
SGI02N120XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.2A 電流-集電極脈沖（Icm）: 9.6A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 2A 功率-最大: 62W 開關能量: 220µJ 輸入類型: Standard 門禁費用: 11nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/260ns 測試條件: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1	庫存7,920
SGL160N60UFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 160A 250W TO264 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 80A 功率-最大: 250W 開關能量: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 345nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/90ns 測試條件: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 95ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝: TO-264-3	庫存176,232
SGL160N60UFTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 160A 250W TO3PF 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 80A 功率-最大: 250W 開關能量: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 345nC 25°C時的Td（開/關）: 40ns/90ns 測試條件: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝: TO-264-3	庫存7,776
SGL40N150DTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1500V 40A 200W TO264 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.7V @ 15V, 40A 功率-最大: 200W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 140nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 300ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝: TO-264-3	庫存7,614
SGL40N150TU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1500V 40A 200W TO264 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.7V @ 15V, 40A 功率-最大: 200W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 140nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝: TO-264-3	庫存4,554

SGB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 27A 138W TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 27A
電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 15A
功率-最大: 138W
開關能量: 530µJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 80nC
25°C時的Td（開/關）: 13ns/209ns
測試條件: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝: PG-TO263-3

庫存5,580

SGB20N60ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 179W TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
功率-最大: 179W
開關能量: 440µJ (on), 330µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 100nC
25°C時的Td（開/關）: 36ns/225ns
測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝: PG-TO263-3

庫存2,430

SGB30N60ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 41A 250W TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
電流-集電極脈沖（Icm）: 112A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A
功率-最大: 250W
開關能量: 1.29mJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 140nC
25°C時的Td（開/關）: 44ns/291ns
測試條件: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝: PG-TO263-3

庫存2,898

SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.2A
電流-集電極脈沖（Icm）: 9.6A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 2A
功率-最大: 62W
開關能量: 220µJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 11nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/260ns
測試條件: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: PG-TO252-3

庫存6,002

SGD02N60BUMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 30W TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 2A
功率-最大: 30W
開關能量: 64µJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 14nC
25°C時的Td（開/關）: 20ns/259ns
測試條件: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: PG-TO252-3

庫存8,604

SGD04N60BUMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 9.4A
電流-集電極脈沖（Icm）: 19A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 4A
功率-最大: 50W
開關能量: 131µJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 24nC
25°C時的Td（開/關）: 22ns/237ns
測試條件: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: PG-TO252-3

庫存4,482

SGD06N60BUMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 12A 68W TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 6A
功率-最大: 68W
開關能量: 215µJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 32nC
25°C時的Td（開/關）: 25ns/220ns
測試條件: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: PG-TO252-3

庫存6,282

SGF23N60UFDM1TU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 75W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
功率-最大: 75W
開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 49nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-3PF

庫存4,050

SGF23N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 75W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
功率-最大: 75W
開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 49nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-3PF

庫存8,226

SGF23N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 75W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
功率-最大: 75W
開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-3PF

庫存4,626

SGF40N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 100W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A
功率-最大: 100W
開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 97nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-3PF

庫存6,984

SGF5N150UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.5V @ 10V, 5A
功率-最大: 62.5W
開關能量: 190µJ (on), 100µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 30nC
25°C時的Td（開/關）: 10ns/30ns
測試條件: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-3PF

庫存5,688

SGF80N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 110W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A
功率-最大: 110W
開關能量: 570µJ (on), 590µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 175nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/90ns
測試條件: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-3PF

庫存5,562

SGH10N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 16A 75W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 10A
功率-最大: 75W
開關能量: 141µJ (on), 215µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 30nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/36ns
測試條件: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存6,264

SGH15N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 160W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 15A
功率-最大: 160W
開關能量: 320µJ (on), 356µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 42nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/44ns
測試條件: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存8,244

SGH15N60RUFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 160W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 15A
功率-最大: 160W
開關能量: 320µJ (on), 356µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 42nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/44ns
測試條件: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存5,346

SGH20N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 32A 195W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 20A
功率-最大: 195W
開關能量: 524µJ (on), 473µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 55nC
25°C時的Td（開/關）: 30ns/48ns
測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 95ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存3,580

SGH23N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 100W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
功率-最大: 100W
開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 49nC
25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存8,064

SGH30N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 48A 235W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 30A
功率-最大: 235W
開關能量: 919µJ (on), 814µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 85nC
25°C時的Td（開/關）: 30ns/54ns
測試條件: 300V, 30A, 7Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 95ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存3,436

SGH30N60RUFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 48A 235W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 30A
功率-最大: 235W
開關能量: 919µJ (on), 814µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 85nC
25°C時的Td（開/關）: 30ns/54ns
測試條件: 300V, 30A, 7Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存7,326

SGH40N60UFDM1TU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 160W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A
功率-最大: 160W
開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 97nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存2,754

SGH40N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 160W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A
功率-最大: 160W
開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 97nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 60ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存6,066

SGH40N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 160W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A
功率-最大: 160W
開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 97nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存2,340

SGH80N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 195W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A
功率-最大: 195W
開關能量: 570µJ (on), 590µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 175nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/90ns
測試條件: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 95ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存7,704

SGH80N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 195W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 40A
功率-最大: 195W
開關能量: 570µJ (on), 590µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 175nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/90ns
測試條件: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存8,802

SGI02N120XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.2A
電流-集電極脈沖（Icm）: 9.6A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 2A
功率-最大: 62W
開關能量: 220µJ
輸入類型: Standard
門禁費用: 11nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/260ns
測試條件: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1

庫存7,920

SGL160N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 160A 250W TO264

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 80A
功率-最大: 250W
開關能量: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 345nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/90ns
測試條件: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 95ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝: TO-264-3

庫存176,232

SGL160N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 160A 250W TO3PF

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 80A
功率-最大: 250W
開關能量: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 345nC
25°C時的Td（開/關）: 40ns/90ns
測試條件: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝: TO-264-3

庫存7,776

SGL40N150DTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1500V 40A 200W TO264

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.7V @ 15V, 40A
功率-最大: 200W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 140nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 300ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝: TO-264-3

庫存7,614

SGL40N150TU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1500V 40A 200W TO264

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.7V @ 15V, 40A
功率-最大: 200W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 140nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝: TO-264-3

庫存4,554

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