晶體管

SGL50N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 250W TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 145nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/66ns
• 測試條件: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 100ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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SGL50N60RUFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 250W TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 145nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/66ns
• 測試條件: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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SGL5N150UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1500V 10A 125W TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.5V @ 10V, 5A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 190µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 10ns/30ns
• 測試條件: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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SGL60N90DG3TU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 60A 180W TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 180W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 260nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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SGL60N90DG3YDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 60A 180W TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 180W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 260nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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SGM2N60UFTF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.4A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 10A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A
• 功率-最大: 2.1W
• 開關能量: 30µJ (on), 13µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 9nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/80ns
• 測試條件: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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SGP02N120XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.2A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 9.6A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 2A
• 功率-最大: 62W
• 開關能量: 220µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 11nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/260ns
• 測試條件: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP02N60XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 30W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 2A
• 功率-最大: 30W
• 開關能量: 64µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 14nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/259ns
• 測試條件: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP04N60XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9.4A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 19A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 50W
• 開關能量: 131µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/237ns
• 測試條件: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP06N60XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 12A 68W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 68W
• 開關能量: 215µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 32nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/220ns
• 測試條件: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP07N120XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 16.5A 125W TO220

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16.5A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 27A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 8A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 1mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 70nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/440ns
• 測試條件: 800V, 8A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 92W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 92W
• 開關能量: 320µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 52nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/178ns
• 測試條件: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP10N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 16A 75W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: 141µJ (on), 215µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/36ns
• 測試條件: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP13N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 13A 60W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 52A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 85µJ (on), 95µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 25nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/70ns
• 測試條件: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP13N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 13A 60W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 52A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 85µJ (on), 95µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 25nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/70ns
• 測試條件: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP15N120XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 198W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 52A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 198W
• 開關能量: 1.9mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 130nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/580ns
• 測試條件: 800V, 15A, 33Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP15N60RUFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 160W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: 320µJ (on), 356µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 42nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/44ns
• 測試條件: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP15N60XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 31A 139W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 62A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 139W
• 開關能量: 570µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 76nC
• 25°C時的Td（開/關）: 32ns/234ns
• 測試條件: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP20N60HSXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 36A 178W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 36A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 178W
• 開關能量: 690µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/207ns
• 測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1

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SGP20N60XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 179W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 179W
• 開關能量: 440µJ (on), 330µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 36ns/225ns
• 測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 100W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
• 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP23N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 100W TO220-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
• 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP30N60HSXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 41A 250W TO220-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 112A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.15mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 141nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/250ns
• 測試條件: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: PG-TO220-3

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SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 41A 250W TO263

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 112A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.29mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/291ns
• 測試條件: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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SGP40N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 160W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: 160µJ (on), 200µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 97nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
• 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP5N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 8A 60W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 15A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 88µJ (on), 107µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 16nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/34ns
• 測試條件: 300V, 5A, 40Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGP6N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 30W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 30W
• 開關能量: 57µJ (on), 25µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/60ns
• 測試條件: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 52ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGR15N40LTF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 45W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4.5V, 130A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGR15N40LTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 45W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4.5V, 130A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGR20N40LTF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 45W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4.5V, 150A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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