晶體管

SGR20N40LTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 45W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4.5V, 150A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGR2N60UFDTF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.4A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 10A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A
• 功率-最大: 25W
• 開關能量: 30µJ (on), 13µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 9nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/80ns
• 測試條件: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGR2N60UFDTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.4A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 10A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A
• 功率-最大: 25W
• 開關能量: 30µJ (on), 13µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 9nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/80ns
• 測試條件: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGR6N60UFTF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 30W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 30W
• 開關能量: 57µJ (on), 25µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/60ns
• 測試條件: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGR6N60UFTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 30W DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 30W
• 開關能量: 57µJ (on), 25µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/60ns
• 測試條件: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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SGS10N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 16A 55W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 55W
• 開關能量: 141µJ (on), 215µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/36ns
• 測試條件: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS10N60RUFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 16A 55W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 55W
• 開關能量: 141µJ (on), 215µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/36ns
• 測試條件: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS13N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 13A 45W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 52A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: 85µJ (on), 95µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 25nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/70ns
• 測試條件: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS23N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 73W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 73W
• 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
• 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS5N150UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1500V 10A 50W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.5V @ 10V, 5A
• 功率-最大: 50W
• 開關能量: 190µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 10ns/30ns
• 測試條件: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS5N60RUFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 8A 35W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 15A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 35W
• 開關能量: 88µJ (on), 107µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 16nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/34ns
• 測試條件: 300V, 5A, 40Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS6N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 22W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 22W
• 開關能量: 57µJ (on), 25µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/60ns
• 測試條件: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 52ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGS6N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 22W TO220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 22W
• 開關能量: 57µJ (on), 25µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/60ns
• 測試條件: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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SGTB11N60R2DT4G

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

RC2 IGBT 10A 600V DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SGU15N40LTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 45W IPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4.5V, 130A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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SGU20N40LTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 45W IPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 8V @ 4.5V, 150A
• 功率-最大: 45W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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SGW10N60AFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 92W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 92W
• 開關能量: 320µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 52nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/178ns
• 測試條件: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW10N60RUFDTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 16A 75W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: 141µJ (on), 215µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/36ns
• 測試條件: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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SGW13N60UFDTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 13A 60W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 13A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 52A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 85µJ (on), 95µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 25nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/70ns
• 測試條件: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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SGW15N120FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 198W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 52A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 198W
• 開關能量: 1.9mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 130nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/580ns
• 測試條件: 800V, 15A, 33Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW15N60FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 31A 139W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 62A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 139W
• 開關能量: 570µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 76nC
• 25°C時的Td（開/關）: 32ns/234ns
• 測試條件: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW20N60FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 179W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 179W
• 開關能量: 440µJ (on), 330µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 36ns/225ns
• 測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW20N60HSFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 36A 178W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 36A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 178W
• 開關能量: 690µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/207ns
• 測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW23N60UFDTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
• 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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SGW25N120FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 46A 313W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 46A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 84A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 313W
• 開關能量: 3.7mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 225nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/730ns
• 測試條件: 800V, 25A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW30N60FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 41A 250W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 112A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.29mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/291ns
• 測試條件: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW30N60HSFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 41A 250W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 112A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.15mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 141nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/250ns
• 測試條件: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW50N60HSFKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 416W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 416W
• 開關能量: 1.96mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 179nC
• 25°C時的Td（開/關）: 47ns/310ns
• 測試條件: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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SGW5N60RUFDTM

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 8A 60W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 15A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 88µJ (on), 107µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 16nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/34ns
• 測試條件: 300V, 5A, 40Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 55ns
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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SIGC109T120R3LEX1SA2

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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