晶體管

2SC59540Q

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220D

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 20mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220D-A1

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2SC5964-S-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 3A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 380MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC5964-S-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 3A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 380MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC5964-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 3A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: 380MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC5964-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 3A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 3.5W
• 頻率-過渡: 380MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC59930P

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220D-A1

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2SC59930Q

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220D-A1

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2SC5994-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 420MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC6010(T2MITUM,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1A 600V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 75mA, 600mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC6011

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 15A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 160W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC6011A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 160W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC6017-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 10A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 250mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 950mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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2SC6017-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 10A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 250mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 950mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC6017-TL-EX

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 10A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 250mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 950mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC6026CTGRTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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2SC6026CT-Y(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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2SC6026MFVGR,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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2SC6026MFV-Y,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SC603600L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: SSSMini3-F1

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2SC6036G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: SSSMini3-F2

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2SC6037J0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F1

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2SC6040,T2Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1A 800V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 800V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC6040(TPF2,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1A 800V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 800V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC6042,T2HOSH1Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1A 375V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC6042,T2WNLQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1A 375V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC6043

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 2A MP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 420MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: 3-MP

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2SC6043-AE

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 2A MP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 420MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: 3-MP

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2SC6054G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2mA, 10V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F3

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2SC6054J0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2mA, 10V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SSMini3-F1

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2SC6076(TE16L1,NV)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A PW MOLD

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: PW-MOLD

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