晶體管

2SC6082

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 15A TO-220ML

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 330mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 195MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220ML

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2SC6082-1E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 15A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 330mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 195MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F-3SG

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2SC6082-EPN-1E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 15A

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 330mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 195MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F-3SG

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2SC6094-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 390MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC6095-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 2.5A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC6096-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC6096-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC6097-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 135mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 390MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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2SC6097-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 135mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 390MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC6098-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 2.5A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 165mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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2SC6098-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 165mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC6099-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A TP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 165mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: TP

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2SC6099-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 165mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SC6100,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC2.5A HF

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SC6114T2LQ

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A VMN3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
• 供應商設備包裝: VMN3

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2SC6114T2LR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A VMN3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
• 供應商設備包裝: VMN3

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2SC6135,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC1A HFE4

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SC6139,T2F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1.5A 160V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC6144

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 10A TO-220ML

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 300mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 270mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 330MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220ML

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2SC6144SG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 10A TO220F-3FS

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 300mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 270mA, 2V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 330MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F-3FS

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2SC6145

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 160W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC6145A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 260V 15A TO-3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 4V
• 功率-最大: 160W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC945-GR-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2SC945-Y-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2SCR293P5T100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR293PFRAT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR293PT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A MPT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR341QTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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2SCR346PT100P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR346PT100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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