晶體管

2SCR372P5T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR372P5T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR372PFRAT100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR372PFRAT100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR372PT100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.7A MPT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR372PT100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.7A MPT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR375P5T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR375P5T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR502EBHZGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

2SCR502EBHZG IS A BIPOLAR TRANSI

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)

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2SCR502EBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)

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2SCR502U3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

2SCR502U3HZG IS THE GENERAL PURP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

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2SCR502UBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-85
• 供應商設備包裝: UMT3F

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2SCR512P5T100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 30V 2A MEDIUM POWER TRANSIST

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR512PFRAT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR512PT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 2A MPT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR512RTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 2A TSMT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-96
• 供應商設備包裝: TSMT3

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2SCR513P5T100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR513PFRAT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR513PT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A MPT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR513RTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS SOT-89 NPN 50V 1A

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SCR514P5T100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 80V 700MA MEDIUM POWER TRANS

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR514PFRAT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR514PT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SCR514RTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-96
• 供應商設備包裝: TSMT3

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2SCR522EBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)

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2SCR522MT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.2A VMT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VMT3

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2SCR522UBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-85
• 供應商設備包裝: UMT3F

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2SCR523EBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)

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2SCR523MT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A VMT3

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VMT3

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2SCR523UBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-85
• 供應商設備包裝: UMT3F

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