晶體管

STA322A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 3PNP 50V 3A 8STA

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 3W, 15W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-SIP
• 供應商設備包裝: 8-SIP

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STA401A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 60V 4A 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 10mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA402A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP DARL 50V 4A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 PNP Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 10mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA403A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 100V 4A SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100V @ 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA404A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 200V 3A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.5mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA406A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 60V 6A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 10mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA408A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP DARL 120V 4A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 PNP Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA412A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 60V 3A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA413A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 35V 3A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA421A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 PNP (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA431A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN/2PNP 60V 3A 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA434A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 10mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA457C

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA460C

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN DARL 60V 6A

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN Darlington (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 15mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 700 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA471A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 60V 2A 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA472A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP DARL 60V 2A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 PNP Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA473A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA475A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA481A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 60V 1A 10SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STA485A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 10-SIP
• 供應商設備包裝: 10-SIP

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STD815CP40

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 16 @ 350mA, 5V
• 功率-最大: 2.6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-DIP

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STD830CP40

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 700mA, 5V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-DIP

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STD840DN40

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-DIP

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STD845DN40

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1A, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-DIP

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STS01DTP06

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SO

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STS05DTP03

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 250mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SO

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TPC6901(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 6VS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)

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TPCP8701(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 140mV @ 20mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 300mA, 2V
• 功率-最大: 1.77W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: PS-8

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TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A, 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.48W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: PS-8

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ULN2001A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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