晶體管

型號	描述	庫存
NSVMMUN2132LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存6,606
NSVMMUN2133LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存224,364
NSVMMUN2135LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存7,704
NSVMMUN2137LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,952
NSVMMUN2212LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存43,224
NSVMMUN2217LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,298
NSVMMUN2230LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,672
NSVMMUN2232LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存242,154
NSVMMUN2232LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,934
NSVMMUN2233LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,970
NSVMMUN2235LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存549,006
NSVMMUN2236LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存5,382
NSVMMUN2237LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,374
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3	庫存8,928
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3	庫存28,128
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3	庫存8,658
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 SS SC59 BR XSTR NPN 50V 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存8,748
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3	庫存7,254
NSVMUN5131T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 202mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存3,582
NSVMUN5132T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 202mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3	庫存106,110
NSVMUN5236T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.202W SC70 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 202mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存8,748
NSVMUN5237T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS NPN 50V BIPOLAR SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,056
PBRN113EK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存3,798
PBRN113ES,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 700mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,176
PBRN113ET,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存7,794
PBRN113ZK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存7,416
PBRN113ZS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 700mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,560
PBRN113ZT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存297,054
PBRN123EK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存4,302
PBRN123ES,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 300mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 700mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,790

NSVMMUN2132LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存6,606

NSVMMUN2133LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存224,364

NSVMMUN2135LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存7,704

NSVMMUN2137LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,952

NSVMMUN2212LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存43,224

NSVMMUN2217LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,298

NSVMMUN2230LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,672

NSVMMUN2232LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存242,154

NSVMMUN2232LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,934

NSVMMUN2233LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,970

NSVMMUN2235LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存549,006

NSVMMUN2236LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存5,382

NSVMMUN2237LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,374

NSVMUN2112T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3

庫存8,928

NSVMUN2212T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3

庫存28,128

NSVMUN2233T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3

庫存8,658

NSVMUN2236T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

SS SC59 BR XSTR NPN 50V

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存8,748

NSVMUN2237T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3

庫存7,254

NSVMUN5131T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 202mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存3,582

NSVMUN5132T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 202mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3

庫存106,110

NSVMUN5236T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.202W SC70

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 202mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存8,748

NSVMUN5237T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS NPN 50V BIPOLAR SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,056

PBRN113EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存3,798

PBRN113ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 700mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,176

PBRN113ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存7,794

PBRN113ZK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存7,416

PBRN113ZS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 700mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,560

PBRN113ZT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存297,054

PBRN123EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存4,302

PBRN123ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 300mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 700mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,790

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message