晶體管

型號	描述	庫存
PDTA115ES,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,436
PDTA115ET,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存27,810
PDTA115EU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存3,924
PDTA115TE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存3,492
PDTA115TK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存6,642
PDTA115TM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存6,030
PDTA115TMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存7,596
PDTA115TS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,904
PDTA115TT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存7,200
PDTA115TU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存2,538
PDTA123EE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存5,796
PDTA123EK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存7,974
PDTA123EM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存7,218
PDTA123EMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存3,816
PDTA123ES,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,632
PDTA123ET,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存22,056
PDTA123ETVL Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PDTA123ET/SOT23/TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存103,038
PDTA123EU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存7,038
PDTA123JE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存5,256
PDTA123JK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存5,436
PDTA123JM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存4,374
PDTA123JMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存4,554
PDTA123JQAZ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 280mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN1010D-3	庫存8,334
PDTA123JS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,352
PDTA123JT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存25,116
PDTA123JTVL Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存89,820
PDTA123JU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10µA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存25,500
PDTA123TE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存8,892
PDTA123TK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存4,014
PDTA123TM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存6,246

PDTA115ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,436

PDTA115ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存27,810

PDTA115EU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存3,924

PDTA115TE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存3,492

PDTA115TK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存6,642

PDTA115TM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存6,030

PDTA115TMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存7,596

PDTA115TS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,904

PDTA115TT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存7,200

PDTA115TU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存2,538

PDTA123EE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存5,796

PDTA123EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存7,974

PDTA123EM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存7,218

PDTA123EMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存3,816

PDTA123ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,632

PDTA123ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存22,056

PDTA123ETVL

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PDTA123ET/SOT23/TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存103,038

PDTA123EU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存7,038

PDTA123JE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存5,256

PDTA123JK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存5,436

PDTA123JM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存4,374

PDTA123JMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存4,554

PDTA123JQAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 280mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN1010D-3

庫存8,334

PDTA123JS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,352

PDTA123JT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存25,116

PDTA123JTVL

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存89,820

PDTA123JU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10µA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存25,500

PDTA123TE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存8,892

PDTA123TK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存4,014

PDTA123TM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存6,246

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