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晶體管

記錄 64,903
頁面 683/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
PDTA114EMB,315
PDTA114EMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存5,094
PDTA114EQAZ
PDTA114EQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 280mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存3,402
PDTA114ES,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存2,790
PDTA114ET,215
PDTA114ET,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存226,020
PDTA114ET,235
PDTA114ET,235

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存8,550
PDTA114EU,115
PDTA114EU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存101,136
PDTA114EU,135
PDTA114EU,135

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存2,232
PDTA114EU/MIF
PDTA114EU/MIF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

RET

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存4,572
PDTA114TE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存3,384
PDTA114TEF,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SC-89
庫存8,712
PDTA114TK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存3,492
PDTA114TK,135

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存8,910
PDTA114TM,315
PDTA114TM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存3,924
PDTA114TMB,315
PDTA114TMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存8,604
PDTA114TS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存4,302
PDTA114TT,215
PDTA114TT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存18,456
PDTA114TU,115
PDTA114TU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存18,588
PDTA114YE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存6,786
PDTA114YK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存4,320
PDTA114YM,315
PDTA114YM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存4,662
PDTA114YMB,315
PDTA114YMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存8,478
PDTA114YQAZ
PDTA114YQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 280mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存6,876
PDTA114YS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存6,516
PDTA114YT,215
PDTA114YT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存13,644
PDTA114YU,115
PDTA114YU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存19,014
PDTA114YUF
PDTA114YUF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PDTA114YU/SOT323/SC-70

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存91,050
PDTA115EE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存8,352
PDTA115EK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存5,832
PDTA115EM,315
PDTA115EM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存7,470
PDTA115EMB,315
PDTA115EMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存2,502