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晶體管

記錄 64,903
頁面 690/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
PDTC114EQAZ
PDTC114EQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 280mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存6,516
PDTC114ES,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存5,364
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存746,166
PDTC114ET,235
PDTC114ET,235

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存203,406
PDTC114ET/DG/B2,21

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS RET TO-236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存6,858
PDTC114EU,115
PDTC114EU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存2,225,136
PDTC114EU,135
PDTC114EU,135

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存89,580
PDTC114EU/MIF
PDTC114EU/MIF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

RET

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存5,868
PDTC114TE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存2,232
PDTC114TEF,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SC-89
庫存6,462
PDTC114TK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存3,888
PDTC114TM,315
PDTC114TM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存7,236
PDTC114TMB,315
PDTC114TMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存2,610
PDTC114TS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存5,616
PDTC114TT,215
PDTC114TT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存58,722
PDTC114TT,235
PDTC114TT,235

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存6,084
PDTC114TU,115
PDTC114TU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存1,019,466
PDTC114YE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存8,856
PDTC114YE,135

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存4,320
PDTC114YEF,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SC-89
庫存4,320
PDTC114YK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存7,758
PDTC114YM,315
PDTC114YM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存6,570
PDTC114YMB,315
PDTC114YMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存8,856
PDTC114YQAZ
PDTC114YQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 280mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存7,380
PDTC114YS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存2,088
PDTC114YT,215
PDTC114YT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存232,908
PDTC114YTVL
PDTC114YTVL

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存3,636
PDTC114YU,115
PDTC114YU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存786,468
PDTC114YUF
PDTC114YUF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PDTC114YU/SOT323/SC-70

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 230MHz
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存4,014
PDTC115EE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 20mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存2,736