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晶體管

記錄 64,903
頁面 688/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
PDTA144VM,315
PDTA144VM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存2,826
PDTA144VMB,315
PDTA144VMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存5,958
PDTA144VS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存2,412
PDTA144VT,215
PDTA144VT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存7,236
PDTA144VU,115
PDTA144VU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存6,354
PDTA144WE,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存3,598
PDTA144WK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存8,784
PDTA144WM,315
PDTA144WM,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-101, SOT-883
  • 供應商設備包裝: DFN1006-3
庫存5,598
PDTA144WMB,315
PDTA144WMB,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 180MHz
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XFDFN
  • 供應商設備包裝: DFN1006B-3
庫存6,300
PDTA144WS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存2,178
PDTA144WT,215
PDTA144WT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存6,696
PDTA144WU,115
PDTA144WU,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存5,040
PDTA323TK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存2,754
PDTB113EK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存5,148
PDTB113EQAZ
PDTB113EQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 325mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存7,074
PDTB113ES,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存2,556
PDTB113ET,215
PDTB113ET,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存4,338
PDTB113EUF
PDTB113EUF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存3,186
PDTB113EUX
PDTB113EUX

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存4,284
PDTB113ZK,115

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存7,848
PDTB113ZQAZ
PDTB113ZQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 325mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存3,564
PDTB113ZS,126

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存8,172
PDTB113ZT,215
PDTB113ZT,215

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存117,522
PDTB113ZUF
PDTB113ZUF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存3,222
PDTB113ZUX
PDTB113ZUX

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存2,826
PDTB114EQAZ
PDTB114EQAZ

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 325mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: DFN1010D-3
庫存8,676
PDTB114ETR
PDTB114ETR

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 320mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存26,004
PDTB114ETVL
PDTB114ETVL

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 320mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
庫存3,654
PDTB114EUF
PDTB114EUF

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存6,228
PDTB114EUX
PDTB114EUX

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 140MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70
庫存2,466