晶體管

型號	描述	庫存
PDTA143ZEF,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SC-89	庫存4,914
PDTA143ZK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存2,034
PDTA143ZK,135 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存3,726
PDTA143ZM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存7,488
PDTA143ZMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存7,848
PDTA143ZQAZ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 280mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN1010D-3	庫存3,544
PDTA143ZS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,024
PDTA143ZT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存139,956
PDTA143ZT,235 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存6,408
PDTA143ZU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存28,368
PDTA144EE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存8,532
PDTA144EK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存3,436
PDTA144EK,135 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存7,200
PDTA144EM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存6,030
PDTA144EMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存2,106
PDTA144EQAZ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 280mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN1010D-3	庫存6,624
PDTA144ES,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,434
PDTA144ET,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存112,866
PDTA144ET,235 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存3,186
PDTA144EU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存199,392
PDTA144EU,135 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存2,430
PDTA144TE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存8,982
PDTA144TK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存7,038
PDTA144TM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存2,250
PDTA144TMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存8,298
PDTA144TS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,002
PDTA144TT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存8,118
PDTA144TU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存5,382
PDTA144VE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存6,174
PDTA144VK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存3,544

PDTA143ZEF,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SC-89

庫存4,914

PDTA143ZK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存2,034

PDTA143ZK,135

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存3,726

PDTA143ZM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存7,488

PDTA143ZMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存7,848

PDTA143ZQAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 280mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN1010D-3

庫存3,544

PDTA143ZS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,024

PDTA143ZT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存139,956

PDTA143ZT,235

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存6,408

PDTA143ZU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存28,368

PDTA144EE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存8,532

PDTA144EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存3,436

PDTA144EK,135

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存7,200

PDTA144EM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存6,030

PDTA144EMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存2,106

PDTA144EQAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 280mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN1010D-3

庫存6,624

PDTA144ES,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,434

PDTA144ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存112,866

PDTA144ET,235

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存3,186

PDTA144EU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存199,392

PDTA144EU,135

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存2,430

PDTA144TE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存8,982

PDTA144TK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存7,038

PDTA144TM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存2,250

PDTA144TMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存8,298

PDTA144TS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,002

PDTA144TT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存8,118

PDTA144TU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存5,382

PDTA144VE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存6,174

PDTA144VK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存3,544

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