Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

晶體管

記錄 64,903
頁面 79/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
PEMD3,315
PEMD3,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存2,880
PEMD4,115
PEMD4,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存35,142
PEMD48,115
PEMD48,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms, 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存6,246
PEMD6,115
PEMD6,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存5,832
PEMD9,115
PEMD9,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存5,454
PEMD9,315
PEMD9,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存4,320
PEMF21,115
PEMF21,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA, 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V, 12V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: 280MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存7,416
PEMH10,115
PEMH10,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存269,046
PEMH11,115
PEMH11,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存9,960
PEMH1,115
PEMH1,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存7,488
PEMH11,315
PEMH11,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存2,718
PEMH13,115
PEMH13,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存54,936
PEMH13,315
PEMH13,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存4,626
PEMH14,115
PEMH14,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存2,088
PEMH15,115
PEMH15,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存302,988
PEMH16,115
PEMH16,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存7,596
PEMH17,115
PEMH17,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存6,570
PEMH18,115
PEMH18,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存3,222
PEMH19,115
PEMH19,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存6,120
PEMH20,115
PEMH20,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存8,244
PEMH2,115
PEMH2,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存7,164
PEMH2,315
PEMH2,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存3,078
PEMH24,115
PEMH24,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存4,590
PEMH30,115
PEMH30,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存6,534
PEMH30,315
PEMH30,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存3,544
PEMH4,115
PEMH4,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存3,204
PEMH7,115
PEMH7,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存6,606
PEMH9,115
PEMH9,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存34,596
PEMH9,315
PEMH9,315

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 1µA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-666
庫存7,074
PIMC31,115
PIMC31,115

Nexperia

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 420mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
庫存1,657,620