晶體管

PBLS4001D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PBLS4001V,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PBLS4001Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PBLS4002D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PBLS4002V,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PBLS4002Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PBLS4003D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PBLS4003Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PBLS4004D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PBLS4005D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: 6-TSSOP

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PBLS6001D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 185MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 185MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 185MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 185MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 185MHz
• 功率-最大: 600mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 760mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 760mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PBLS6023D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 760mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PBLS6024D,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 65V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 760mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: 6-TSOP

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PEMB10,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PEMB11,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: 180MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PEMB1,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PEMB13,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PEMB14,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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PEMB15,115

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-666

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