晶體管

型號	描述	庫存
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V 功率-最大: 3.1W, 2.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存4,392
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V 功率-最大: 3.1W, 2.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存7,110
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 285pF @ 10V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存58,914
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 285pF @ 10V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存78,486
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存4,266
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存3,906
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 632pF @ 10V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存28,212
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 632pF @ 10V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存3,294
SI5515DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存2,484
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存8,190
SI5517DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V 功率-最大: 8.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual	庫存4,104
SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V 功率-最大: 8.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual	庫存5,058
SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V 功率-最大: 10.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual	庫存7,254
SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 15V 功率-最大: 3.12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存4,824
SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 15V 功率-最大: 3.12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存73,842
SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存8,694
SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存2,790
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存2,340
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存6,984
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存5,274
SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 4V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存3,960
SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 4V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存2,376
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存3,258
SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存8,784
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V 功率-最大: 10.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual	庫存4,464
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存143,424
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存3,294
SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 4V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存4,068
SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 4V 功率-最大: 3.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存8,640
SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™	庫存5,112

SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
功率-最大: 3.1W, 2.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存4,392

SI5511DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
功率-最大: 3.1W, 2.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存7,110

SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 285pF @ 10V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存58,914

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 285pF @ 10V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存78,486

SI5513DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存4,266

SI5513DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存3,906

SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 632pF @ 10V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存28,212

SI5515CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 632pF @ 10V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存3,294

SI5515DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存2,484

SI5515DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存8,190

SI5517DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V
功率-最大: 8.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual

庫存4,104

SI5517DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V
功率-最大: 8.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual

庫存5,058

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V
功率-最大: 10.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual

庫存7,254

SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 15V
功率-最大: 3.12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存4,824

SI5902BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 15V
功率-最大: 3.12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存73,842

SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存8,694

SI5903DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存2,790

SI5903DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存2,340

SI5904DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存6,984

SI5904DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存5,274

SI5905BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 4V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存3,960

SI5905BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 4V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存2,376

SI5905DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存3,258

SI5905DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存8,784

SI5906DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V
功率-最大: 10.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Dual

庫存4,464

SI5908DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存143,424

SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存3,294

SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 4V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存4,068

SI5915BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 4V
功率-最大: 3.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存8,640

SI5915DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™

庫存5,112

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