晶體管

型號	描述	庫存
SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V 功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存6,858
SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO- 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC, 75nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF, 3900pF @ 25V 功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存2,178
SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V 功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存3,816
SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 54A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V 功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存4,788
SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc), 40A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V 功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存3,636
SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 20V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存24,096
SQJ500EP ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,706
SQJ500EPTR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,956
SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V 功率-最大: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存5,436
SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc), 18A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 25V 功率-最大: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,082
SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc), 9.5A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V 功率-最大: 27W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,662
SQJ844AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1161pF @ 15V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存25,182
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1869pF @ 15V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存6,462
SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1835pF @ 20V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存23,886
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V 功率-最大: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存21,708
SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 15V 功率-最大: 27W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存5,706
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 18A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 896pF @ 20V 功率-最大: 48W, 43W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存47,622
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V 功率-最大: 55W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,590
SQJ942EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc), 45A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V 功率-最大: 17W, 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8	庫存25,680
SQJ946EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V 功率-最大: 27W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,392
SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 10V 功率-最大: 56W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存6,138
SQJ952EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 30V 功率-最大: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存254,556
SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1395pF @ 30V 功率-最大: 34W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,154
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.9mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 30V 功率-最大: 35W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存7,632
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8A 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 25V 功率-最大: 34W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存2,304
SQJ962EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 25V 功率-最大: 25W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存3,492
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 30V 功率-最大: 27W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存260,952
SQJ968EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.5A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 714pF @ 30V 功率-最大: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,122
SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存58,386
SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 35V 功率-最大: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存7,902

SQJ204EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存6,858

SQJ208EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC, 75nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF, 3900pF @ 25V
功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存2,178

SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存3,816

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 54A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存4,788

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
功率-最大: 27W (Tc), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存3,636

SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 20V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存24,096

SQJ500EP

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,706

SQJ500EPTR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,956

SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
功率-最大: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存5,436

SQJ560EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 25V
功率-最大: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,082

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
功率-最大: 27W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,662

SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1161pF @ 15V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存25,182

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1869pF @ 15V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存6,462

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1835pF @ 20V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存23,886

SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 25V
功率-最大: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存21,708

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 15V
功率-最大: 27W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存5,706

SQJ940EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 896pF @ 20V
功率-最大: 48W, 43W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存47,622

SQJ941EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V
功率-最大: 55W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,590

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
功率-最大: 17W, 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8

庫存25,680

SQJ946EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
功率-最大: 27W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,392

SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 10V
功率-最大: 56W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存6,138

SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 30V
功率-最大: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存254,556

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1395pF @ 30V
功率-最大: 34W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,154

SQJ958EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.9mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 30V
功率-最大: 35W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存7,632

SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8A

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 25V
功率-最大: 34W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存2,304

SQJ962EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 25V
功率-最大: 25W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存3,492

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 30V
功率-最大: 27W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存260,952

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.5A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 714pF @ 30V
功率-最大: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,122

SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存58,386

SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 35V
功率-最大: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存7,902

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