晶體管

型號	描述	庫存
SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA, 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存35,046
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA, 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V 功率-最大: 200mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,382
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA, 330mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存30,378
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta), 330mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC, 1.2nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF, 43pF @ 10V 功率-最大: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存7,128
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存4,914
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC, 2.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF, 120pF @ 15V 功率-最大: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存7,884
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)	庫存26,922
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存7,884
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存115,080
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V 功率-最大: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存73,368
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存22,386
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 3V 功率-最大: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存29,406
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,562
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 650mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 12V 功率-最大: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 6-TSOP-F	庫存25,764
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存30,672
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V 功率-最大: 285mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存26,064
SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存34,080
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存2,448
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V 功率-最大: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存57,666
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V 功率-最大: 140mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: CST6D	庫存4,104
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,796
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存213,492
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存3,186
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,596
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存5,112
SSM6N43FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存22,488
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存349,350
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V 功率-最大: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存28,596
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15.1pF @ 3V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,020
SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15.1pF @ 3V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,768

SSM6L35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA, 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存35,046

SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA, 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V
功率-最大: 200mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,382

SSM6L36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA, 330mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存30,378

SSM6L36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta), 330mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC, 1.2nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF, 43pF @ 10V
功率-最大: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存7,128

SSM6L39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存4,914

SSM6L40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC, 2.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF, 120pF @ 15V
功率-最大: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存7,884

SSM6L61NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)

庫存26,922

SSM6N15AFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.8pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存7,884

SSM6N15AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13.5pF @ 3V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存115,080

SSM6N16FE,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
功率-最大: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存73,368

SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存22,386

SSM6N17FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 3V
功率-最大: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存29,406

SSM6N24TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,562

SSM6N357R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 650mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60pF @ 12V
功率-最大: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 6-TSOP-F

庫存25,764

SSM6N35AFE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存30,672

SSM6N35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 10V
功率-最大: 285mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存26,064

SSM6N35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.5pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存34,080

SSM6N36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存2,448

SSM6N36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
功率-最大: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存57,666

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
功率-最大: 140mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: CST6D

庫存4,104

SSM6N37FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,796

SSM6N37FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存213,492

SSM6N39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存3,186

SSM6N40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,596

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存5,112

SSM6N43FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存22,488

SSM6N44FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存349,350

SSM6N44FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.5pF @ 3V
功率-最大: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存28,596

SSM6N48FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15.1pF @ 3V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,020

SSM6N48FU,RF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15.1pF @ 3V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,768

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