晶體管

型號	描述	庫存
SQJ990EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	庫存5,292
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 446pF @ 30V 功率-最大: 34W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存3,924
SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存7,038
SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V 功率-最大: 34W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存4,230
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存8,748
SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存5,940
SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V 功率-最大: 27W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存6,210
SQJB70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V 功率-最大: 27W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存7,542
SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存29,568
SQJB90EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V 功率-最大: 48W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	庫存5,238
SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 20V 功率-最大: 75W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存4,986
SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 20V 功率-最大: 75W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存7,578
SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3238pF @ 20V 功率-最大: 187W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存2,610
SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 20V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存20,478
SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2832pF @ 50V 功率-最大: 187W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存3,798
SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 25V 功率-最大: 71W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存29,598
SQJQ980EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1995pF @ 40V 功率-最大: 187W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual	庫存4,644
SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CHAN 40V 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 25V 功率-最大: 27.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8W Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8W Dual	庫存6,318
SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CHAN 60V 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 572pF @ 25V 功率-最大: 27.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8W Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8W Dual	庫存7,380
SQUN702E-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V, 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc), 20A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V 功率-最大: 48W (Tc), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,454
SSD2007ASTF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存5,310
SSD2007ATF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存4,356
SSD2009ATF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存4,716
SSD2025TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存4,788
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA, 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 5V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存46,710
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 250MA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存4,158
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存6,246
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 10V, 250pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存3,402
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta), 720mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC, 1.76nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF, 110pF @ 10V 功率-最大: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存82,050
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 0.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存4,212

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

庫存5,292

SQJ992EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 446pF @ 30V
功率-最大: 34W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存3,924

SQJB00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存7,038

SQJB40EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
功率-最大: 34W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存4,230

SQJB42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存8,748

SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存5,940

SQJB68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
功率-最大: 27W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存6,210

SQJB70EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 25V
功率-最大: 27W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存7,542

SQJB80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存29,568

SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
功率-最大: 48W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

庫存5,238

SQJQ900E-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 20V
功率-最大: 75W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存4,986

SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 20V
功率-最大: 75W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存7,578

SQJQ906EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3238pF @ 20V
功率-最大: 187W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存2,610

SQJQ906E-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 20V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存20,478

SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2832pF @ 50V
功率-最大: 187W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存3,798

SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 25V
功率-最大: 71W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存29,598

SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1995pF @ 40V
功率-最大: 187W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 8 x 8 Dual

庫存4,644

SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CHAN 40V

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 25V
功率-最大: 27.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8W Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8W Dual

庫存6,318

SQS966ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CHAN 60V

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 572pF @ 25V
功率-最大: 27.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8W Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8W Dual

庫存7,380

SQUN702E-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V, 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc), 20A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
功率-最大: 48W (Tc), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,454

SSD2007ASTF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存5,310

SSD2007ATF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存4,356

SSD2009ATF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存4,716

SSD2025TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存4,788

SSM6L09FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA, 200mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 5V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存46,710

SSM6L11TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 250MA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存4,158

SSM6L12TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存6,246

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 268pF @ 10V, 250pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存3,402

SSM6L14FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC, 1.76nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF, 110pF @ 10V
功率-最大: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存82,050

SSM6L16FETE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 0.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存4,212

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