晶體管

記錄 64,903

頁面 906/2164

型號	描述	庫存
MRF5S9150HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存3,294
MRF5S9150HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,560
MRF5S9150HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 33W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,434
MRF6P18190HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 15.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存2,160
MRF6P18190HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 15.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存3,402
MRF6P21190HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.9A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,272
MRF6P21190HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.9A 功率-輸出: 44W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存4,536
MRF6P23190HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.39GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.9A 功率-輸出: 40W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存260
MRF6P23190HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.39GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.9A 功率-輸出: 40W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,614
MRF6P24190HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.39GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.9A 功率-輸出: 40W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,110
MRF6P24190HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.39GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.9A 功率-輸出: 40W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存8,316
MRF6P27160HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.66GHz 增益: 14.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.8A 功率-輸出: 35W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,398
MRF6P27160HR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.66GHz 增益: 14.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.8A 功率-輸出: 35W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-1230 供應商設備包裝: NI-1230	庫存7,974
MRF6P3300HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 857MHz ~ 863MHz 增益: 20.2dB 電壓-測試: 32V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 270W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-860C3 供應商設備包裝: NI-860C3	庫存3,204
MRF6P3300HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 857MHz ~ 863MHz 增益: 20.2dB 電壓-測試: 32V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 270W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-860C3 供應商設備包裝: NI-860C3	庫存8,406
MRF6P9220HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 47W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-860C3 供應商設備包裝: NI-860C3	庫存35
MRF6P9220HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 880MHz 增益: 20dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 47W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-860C3 供應商設備包裝: NI-860C3	庫存2,970
MRF6S18060NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 15dB 電壓-測試: 26V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 600mA 功率-輸出: 60W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存4,248
MRF6S18060NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 15dB 電壓-測試: 26V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 600mA 功率-輸出: 60W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存5,958
MRF6S18100NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存7,380
MRF6S18100NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO2704 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 100W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存6,642
MRF6S18140HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存3,168
MRF6S18140HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存3,402
MRF6S18140HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存6,372
MRF6S18140HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.88GHZ NI880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存8,370
MRF6S19060GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270BA 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL	庫存8,190
MRF6S19060MBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存3,168
MRF6S19060MR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270-4 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存8,730
MRF6S19060NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存8,928
MRF6S19060NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存8,712

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