晶體管

記錄 64,903

頁面 907/2164

型號	描述	庫存
MRF6S19100GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO-270-2 GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 950mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270BA 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL	庫存4,950
MRF6S19100HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 16.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存4,230
MRF6S19100HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 16.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,570
MRF6S19100HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 16.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存2,016
MRF6S19100HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 16.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,482
MRF6S19100MBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 950mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存3,436
MRF6S19100MR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 950mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270-4 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存8,946
MRF6S19100NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 950mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存8,100
MRF6S19100NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 950mA 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存2,970
MRF6S19120HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 15dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,390
MRF6S19120HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 15dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存5,472
MRF6S19120HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 15dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,200
MRF6S19120HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 15dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,140
MRF6S19140HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.15A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存2,422
MRF6S19140HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.15A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存2,214
MRF6S19140HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.15A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存8,262
MRF6S19140HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.15A 功率-輸出: 29W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存4,032
MRF6S19200HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 1.99GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 56W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,610
MRF6S19200HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 1.99GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 56W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,794
MRF6S19200HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 1.99GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 56W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,202
MRF6S19200HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 66V 1.99GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 56W 電壓-額定: 66V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,606
MRF6S20010GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 130mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270BA 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL	庫存11,508
MRF6S20010NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 130mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270AA 供應商設備包裝: TO-270-2	庫存5,976
MRF6S21050LR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.16GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 11.5W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-400 供應商設備包裝: NI-400	庫存8,352
MRF6S21050LR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.16GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 11.5W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-400 供應商設備包裝: NI-400	庫存1,264
MRF6S21050LSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.16GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 11.5W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-400S 供應商設備包裝: NI-400S	庫存3,510
MRF6S21050LSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.16GHz 增益: 16dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 11.5W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: NI-400S 供應商設備包裝: NI-400S	庫存3,366
MRF6S21060MBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 14W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存5,076
MRF6S21060MR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 14W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270-4 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存2,592
MRF6S21060NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 15.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 610mA 功率-輸出: 14W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存2,916

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