晶體管

型號	描述	庫存
5LN01C-TB-EX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,424
5LN01C-TB-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-CP 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,778
5LN01M-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-MCP 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存4,284
5LN01M-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-MCP 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,408
5LN01SP ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 3-SPA 包裝/箱: SC-72	庫存3,978
5LN01SP-AC ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 3-SPA 包裝/箱: SC-72	庫存3,420
5LN01SS-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SSFP 包裝/箱: SC-81	庫存5,760
5LN01SS-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SSFP 包裝/箱: SC-81	庫存7,920
5LN01S-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SMCP 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存7,560
5LP01C-TB-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-CP 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,586
5LP01C-TB-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-CP 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,794
5LP01M-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V .07A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-MCP 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,246
5LP01M-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 70MA MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-MCP 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存4,572
5LP01M-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 0.07A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-MCP 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,282
5LP01SP ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V .07A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 3-SPA 包裝/箱: SC-72	庫存7,254
5LP01SP-AC ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V .07A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 3-SPA 包裝/箱: SC-72	庫存5,454
5LP01SS-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SSFP 包裝/箱: SC-81	庫存5,058
5LP01SS-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-SSFP 包裝/箱: SC-81	庫存6,138
5LP01S-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SMCP 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存2,880
5X49_BG7002B ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,942
62-0063PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,762
62-0095PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,482
62-0136PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,466
62-0203PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8676pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,554
64-0007 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,982
64-0055PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4520pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,542
64-2042 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 220W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,480
64-2092PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,942
64-2096PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存5,724
64-2105PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,138

5LN01C-TB-EX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,424

5LN01C-TB-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-CP
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,778

5LN01M-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.1A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-MCP
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存4,284

5LN01M-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-MCP
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,408

5LN01SP

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 0.1A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 3-SPA
包裝/箱: SC-72

庫存3,978

5LN01SP-AC

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA SPA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 3-SPA
包裝/箱: SC-72

庫存3,420

5LN01SS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SSFP
包裝/箱: SC-81

庫存5,760

5LN01SS-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SSFP
包裝/箱: SC-81

庫存7,920

5LN01S-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.6pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SMCP
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存7,560

5LP01C-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 70MA CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-CP
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,586

5LP01C-TB-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 70MA CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-CP
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,794

5LP01M-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V .07A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-MCP
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,246

5LP01M-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 70MA MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-MCP
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存4,572

5LP01M-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 0.07A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-MCP
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,282

5LP01SP

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V .07A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 3-SPA
包裝/箱: SC-72

庫存7,254

5LP01SP-AC

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V .07A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 3-SPA
包裝/箱: SC-72

庫存5,454

5LP01SS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SSFP
包裝/箱: SC-81

庫存5,058

5LP01SS-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-SSFP
包裝/箱: SC-81

庫存6,138

5LP01S-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SMCP
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存2,880

5X49_BG7002B

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,942

62-0063PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,762

62-0095PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,482

62-0136PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3710pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,466

62-0203PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8676pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,554

64-0007

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,982

64-0055PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4520pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,542

64-2042

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 75A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 220W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,480

64-2092PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,942

64-2096PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存5,724

64-2105PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 75A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,138

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