晶體管

型號	描述	庫存
64-4051 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 16A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,148
64-4059PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,166
64-4092PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,094
64-4123PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,804
64-6006PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 247nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7370pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 430W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AC 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,596
64-8016 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,934
64-9144 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST 包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST	庫存7,902
64-9145 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4130pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存7,344
64-9146 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6580pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT	庫存4,248
64-9149PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DIRECTFETL8 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,598
64-9150PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V DIRECTFETL8 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,448
6HP04CH-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24.1pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-CPH 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,448
6HP04MH-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V .37A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24.1pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70FL/MCPH3 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存24,384
94-2110 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 162A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7360pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,862
94-2113 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3290pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,304
94-2304 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3290pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,146
94-2310 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,996
94-2335 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,454
94-2355PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,554
94-2386 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,478
94-2503PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,418
94-2989 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1970pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,796
94-3250 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2270pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MQ	庫存2,052
94-3412PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2335pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,506
94-4007 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,758
94-4156PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1996pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,906
94-4582 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,914
94-4737 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 33A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,042
94-4762 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 27A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,624
94-4764 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,442

64-4051

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,148

64-4059PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,166

64-4092PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,094

64-4123PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,804

64-6006PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 247nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7370pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 430W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AC
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,596

64-8016

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,934

64-9144

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ ST
包裝/箱: DirectFET™ Isometric ST

庫存7,902

64-9145

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.45V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4130pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存7,344

64-9146

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6580pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT

庫存4,248

64-9149PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DIRECTFETL8

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,598

64-9150PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V DIRECTFETL8

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,448

6HP04CH-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24.1pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-CPH
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,448

6HP04MH-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V .37A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24.1pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70FL/MCPH3
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存24,384

94-2110

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 162A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7360pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,862

94-2113

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3290pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,304

94-2304

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3290pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,146

94-2310

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,996

94-2335

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,454

94-2355PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,554

94-2386

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,478

94-2503PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,418

94-2989

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1970pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,796

94-3250

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 7V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2270pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MQ

庫存2,052

94-3412PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2335pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,506

94-4007

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,758

94-4156PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1996pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,906

94-4582

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,914

94-4737

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,042

94-4762

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,624

94-4764

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,442

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