晶體管

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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
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• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

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• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
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• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
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• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 125mW
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TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6

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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
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• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
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• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
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• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
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• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 系列: -
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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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• 系列: -
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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms, 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMINI6-F1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms, 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
• 功率-最大: 125mW
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• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SSMini6-F2

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

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• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

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• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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XN0111400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: Mini5-G1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

• 制造商: Panasonic Electronic Components
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• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 80MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
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